时间：2025/9/1 14:32:22
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H9TQ17A8GTMCUR是一款由SK Hynix（现为Hynix Semiconductor）生产的高密度DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于移动DRAM（Mobile DRAM）类别。该芯片专为高性能移动设备设计，例如智能手机、平板电脑以及其他对功耗敏感的便携式电子产品。H9TQ17A8GTMCUR采用先进的制造工艺，提供较大的存储容量和较低的工作电压，有助于提升设备性能并延长电池续航时间。
容量：2GB (16Gb)
类型：LPDDR3 SDRAM
封装：FBGA
数据速率：800MHz
工作电压：1.2V
I/O接口：x16
制造商：SK Hynix
温度范围：工业级标准
存储架构：DRAM
型号后缀说明：'CUR'通常表示特定的封装和电气特性
H9TQ17A8GTMCUR具备多项先进的特性，以满足现代移动设备对性能和能效的双重需求。其采用LPDDR3（低功耗双倍数据速率第3代）技术，能够在较低电压下运行，显著降低功耗，延长设备电池寿命。该芯片的高速数据传输速率（800MHz）确保了在处理高分辨率图像、高清视频和复杂应用程序时的流畅性。
此外，H9TQ17A8GTMCUR支持多种低功耗模式，如预充电待机模式、自刷新模式等，以适应不同使用场景下的功耗管理需求。这些模式可以在系统空闲或低负载时有效降低能耗，进一步优化设备的续航能力。
该芯片采用紧凑的FBGA（Fine Pitch Ball Grid Array）封装，有助于减少PCB（印刷电路板）空间占用，适合高密度移动设备设计。FBGA封装还具备良好的电气性能和热稳定性，能够确保芯片在复杂环境下稳定运行。
在可靠性方面，H9TQ17A8GTMCUR符合工业级温度标准，可在较宽的温度范围内稳定工作，适用于多种恶劣使用环境。同时，其内部设计优化了数据完整性与稳定性，支持高可靠性的数据读写操作。
H9TQ17A8GTMCUR广泛应用于各种高性能移动设备和嵌入式系统。常见的应用场景包括智能手机、平板电脑、可穿戴设备、便携式游戏机以及高性能计算模块。由于其低功耗与高数据传输速率的特点，该芯片特别适合用于需要频繁访问内存的图形处理、多任务操作和多媒体播放等场景。
在智能手机领域，H9TQ17A8GTMCUR可作为主内存（RAM），支持操作系统和应用程序的高效运行。在平板电脑中，它能够提供足够的内存资源以支持多任务处理和高质量视频播放。在可穿戴设备中，其低功耗特性有助于延长设备的使用时间，减少充电频率。此外，在工业控制和汽车电子领域，该芯片也可用于需要稳定内存支持的嵌入式系统中。
H9TQ17ABJTMCUR, H9TQ17A8GUMC, H9TQ17A8JTM
