H9TQ17A8GTMCUR是一款由SK Hynix(现为Hynix Semiconductor)生产的高密度DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于移动DRAM(Mobile DRAM)类别。该芯片专为高性能移动设备设计,例如智能手机、平板电脑以及其他对功耗敏感的便携式电子产品。H9TQ17A8GTMCUR采用先进的制造工艺,提供较大的存储容量和较低的工作电压,有助于提升设备性能并延长电池续航时间。
容量:2GB (16Gb)
类型:LPDDR3 SDRAM
封装:FBGA
数据速率:800MHz
工作电压:1.2V
I/O接口:x16
制造商:SK Hynix
温度范围:工业级标准
存储架构:DRAM
型号后缀说明:'CUR'通常表示特定的封装和电气特性
H9TQ17A8GTMCUR具备多项先进的特性,以满足现代移动设备对性能和能效的双重需求。其采用LPDDR3(低功耗双倍数据速率第3代)技术,能够在较低电压下运行,显著降低功耗,延长设备电池寿命。该芯片的高速数据传输速率(800MHz)确保了在处理高分辨率图像、高清视频和复杂应用程序时的流畅性。
此外,H9TQ17A8GTMCUR支持多种低功耗模式,如预充电待机模式、自刷新模式等,以适应不同使用场景下的功耗管理需求。这些模式可以在系统空闲或低负载时有效降低能耗,进一步优化设备的续航能力。
该芯片采用紧凑的FBGA(Fine Pitch Ball Grid Array)封装,有助于减少PCB(印刷电路板)空间占用,适合高密度移动设备设计。FBGA封装还具备良好的电气性能和热稳定性,能够确保芯片在复杂环境下稳定运行。
在可靠性方面,H9TQ17A8GTMCUR符合工业级温度标准,可在较宽的温度范围内稳定工作,适用于多种恶劣使用环境。同时,其内部设计优化了数据完整性与稳定性,支持高可靠性的数据读写操作。
H9TQ17A8GTMCUR广泛应用于各种高性能移动设备和嵌入式系统。常见的应用场景包括智能手机、平板电脑、可穿戴设备、便携式游戏机以及高性能计算模块。由于其低功耗与高数据传输速率的特点,该芯片特别适合用于需要频繁访问内存的图形处理、多任务操作和多媒体播放等场景。
在智能手机领域,H9TQ17A8GTMCUR可作为主内存(RAM),支持操作系统和应用程序的高效运行。在平板电脑中,它能够提供足够的内存资源以支持多任务处理和高质量视频播放。在可穿戴设备中,其低功耗特性有助于延长设备的使用时间,减少充电频率。此外,在工业控制和汽车电子领域,该芯片也可用于需要稳定内存支持的嵌入式系统中。
H9TQ17ABJTMCUR, H9TQ17A8GUMC, H9TQ17A8JTM