时间：2025/9/2 8:45:44
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H9TP65A8JDMCPR-KGM 是由SK Hynix（海力士）生产的一款高密度、高性能的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于移动式低功耗双倍数据速率内存（LPDDR4）系列。该芯片广泛应用于高端智能手机、平板电脑、嵌入式系统以及需要高带宽和低功耗内存解决方案的便携式设备中。该封装采用FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array）封装形式，具备较高的集成度和稳定的电气性能。
制造商：SK Hynix
类型：DRAM
内存类型：LPDDR4 SDRAM
容量：8GB（64Gbit）
封装类型：FBGA
引脚数：134
工作电压：1.1V / 1.8V
数据速率：3200Mbps
数据总线宽度：16位
时钟频率：1600MHz
封装尺寸：8mm x 10mm
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
H9TP65A8JDMCPR-KGM 是一款专为高性能和低功耗应用设计的LPDDR4 DRAM芯片。其主要特性包括支持高速数据传输速率，最高可达3200Mbps，适用于高带宽需求的处理器平台。芯片采用了先进的DRAM工艺技术，提供出色的稳定性和可靠性。
该器件支持多种低功耗模式，如深度掉电模式、自刷新模式和预充电节能模式，有助于延长便携设备的电池寿命。此外，H9TP65A8JDMCPR-KGM 支持温度补偿自刷新（TCSR）功能，可以根据温度变化自动调整刷新周期，从而降低功耗并提高数据保持能力。
其FBGA封装设计提供了良好的电气性能和热稳定性，适合在紧凑型电子设备中使用。该芯片的16位数据总线宽度和高频率时钟接口使其能够满足高端SoC（系统级芯片）的内存带宽需求，适用于当前主流的多核处理器架构。
H9TP65A8JDMCPR-KGM 主要用于高端移动设备，如智能手机和平板电脑，也可用于嵌入式系统、车载信息娱乐系统（IVI）、工业控制设备以及需要高性能、低功耗内存的便携式电子产品。该芯片支持高带宽图形处理和多任务处理需求，适用于运行Android、iOS或其他高性能嵌入式操作系统的设备。
此外，该内存芯片也可用于服务器模块、边缘计算设备以及需要快速数据访问和低功耗运行的AI加速器模块。
H9TP65A8JDMCPR-KEC
H9TP65A8JDACPR-KGM
H9TP65A8JDCAC-KEC
H9TP65A8JDRAC-KEC
