时间：2025/9/2 6:58:06
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H9TP33A6ADMCMR-KDM 是由SK Hynix（海力士）生产的一款高密度、低功耗的DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该芯片属于移动DRAM类别，专为高性能移动设备设计，如智能手机、平板电脑以及便携式计算设备。该型号采用BGA（球栅阵列）封装技术，具备紧凑的封装尺寸，适合高密度电路板设计。H9TP33A6ADMCMR-KDM的容量为4GB，运行电压为1.8V或2.5V，支持高速数据传输率，是当前高端移动设备中常用的存储芯片之一。
容量：4GB
类型：DRAM
封装：BGA
引脚数：根据具体封装类型确定
电压：1.8V/2.5V
频率：166MHz
工作温度范围：0°C至+85°C
封装尺寸：根据具体封装形式确定
H9TP33A6ADMCMR-KDM具有多项优良特性，首先，它是一款低功耗DRAM芯片，适用于对电池续航能力要求较高的移动设备。其工作电压为1.8V或2.5V，相比传统DRAM芯片具有更低的能耗，有助于延长设备使用时间。此外，该芯片的频率支持高达166MHz，能够提供高速的数据存取能力，满足现代移动设备对快速响应和流畅操作的需求。H9TP33A6ADMCMR-KDM采用了BGA封装技术，使得封装尺寸更小、引脚密度更高，有利于提高电路板的空间利用率。该芯片还具备良好的稳定性和可靠性，在-40°C至+85°C的宽工作温度范围内仍能保持稳定运行，适应各种复杂的应用环境。同时，它符合RoHS环保标准，适合绿色电子产品设计和制造。
H9TP33A6ADMCMR-KDM的设计还考虑了信号完整性与电磁干扰（EMI）控制，通过优化内部结构和引脚布局，有效减少信号串扰和噪声干扰，从而提升整体系统性能。该芯片支持标准的DRAM时序控制，并与主流的嵌入式处理器和控制器兼容，便于集成到多种系统架构中。
H9TP33A6ADMCMR-KDM主要应用于高性能移动设备，如智能手机、平板电脑、便携式游戏机等。此外，它也可用于嵌入式系统、工业控制设备、车载信息娱乐系统（IVI）及智能穿戴设备等需要高性能、低功耗存储解决方案的场合。由于其高速数据传输能力和紧凑的封装形式，该芯片非常适合用于需要多任务处理和大内存支持的高端电子产品。
H9TQ17A8JDTCLR-KDM, H9TP64A8JDMCNR-NTM
