时间：2025/9/2 10:49:14
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H9TP32A8JDBCPR-KGM 是由SK Hynix（海力士）公司生产的一种高密度、高性能的DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该型号属于移动LPDDR4 SDRAM（低功耗双倍数据速率第四代同步动态随机存取存储器）系列，专为移动设备和高性能计算应用设计。该芯片具有较高的数据传输速率、较低的工作电压和节能特性，适用于智能手机、平板电脑、嵌入式系统等对功耗敏感的应用场景。H9TP32A8JDBCPR-KGM 采用BGA（球栅阵列）封装，提供紧凑的物理尺寸，适合空间受限的设计。
类型：LPDDR4 SDRAM
容量：32Gb（4GB）
数据速率：3200Mbps
电压：1.1V / 0.6V
组织结构：x32
封装类型：BGA
封装尺寸：134-ball
工作温度：-40°C ~ +85°C
H9TP32A8JDBCPR-KGM 具备多项先进的性能和设计特性，使其在移动和高性能计算领域中表现出色。
首先，该芯片支持高达3200Mbps的数据传输速率，能够在高频操作下提供快速的数据访问能力，满足现代移动设备对高速内存的需求。其采用的LPDDR4架构在保持高性能的同时，显著降低了功耗，延长了设备的电池续航时间。
其次，H9TP32A8JDBCPR-KGM 的供电电压为1.1V（核心电压）和0.6V（I/O电压），相较于前代LPDDR3 SDRAM，功耗降低了约30%以上，特别适用于对能效要求严格的移动设备。
此外，该芯片支持多种低功耗模式，包括预充电电源下降模式（Precharge Power-Down Mode）、自刷新模式（Self-Refresh Mode）和深度掉电模式（Deep Power-Down Mode），能够在不同应用场景下灵活调整功耗，进一步优化系统能效。
该芯片的封装采用134-ball BGA，尺寸小巧，便于集成到紧凑型电路板设计中，同时提供了良好的电气性能和热管理能力，确保在高负载运行时的稳定性。
最后，H9TP32A8JDBCPR-KGM 支持多种温度等级，能够在-40°C至+85°C的宽温范围内稳定工作，适应工业级和消费级应用的需求。
H9TP32A8JDBCPR-KGM 广泛应用于需要高性能和低功耗内存的电子设备中，尤其是移动设备和嵌入式系统。典型应用包括高端智能手机、平板电脑、便携式游戏设备、可穿戴设备以及需要大内存带宽的图像处理和人工智能边缘计算设备。此外，该芯片也可用于工业控制、车载信息娱乐系统（IVI）、智能电视和高性能计算模块（如AI加速卡）。其高带宽、低延迟和节能特性使其成为现代高性能嵌入式系统的理想选择。
H9TP32A8JDACUR-KGM, H9TP64A8JDMCWR-KGM, H9HPN8ALUUMC-NEC
