H9TP32A8JDACPR-KGM 是一款由 SK 海力士(SK Hynix)生产的存储芯片,属于 NAND Flash 类型。该芯片主要应用于需要大容量数据存储的场景,例如固态硬盘(SSD)、USB 闪存盘、嵌入式存储设备等。其采用先进的制程工艺,在保证性能的同时降低功耗。这款芯片支持高速接口和多页操作,适合对速度和稳定性要求较高的应用环境。
该型号中的 H9 表示是海力士的产品系列,T 表示 NAND Flash 类型,P 表示封装形式为 FBGA,而具体参数如容量、电压范围和其他特性则通过后续编码进一步定义。
容量:32Gb
接口:Toggle Mode 2.0
工作电压:1.8V
封装形式:FBGA
引脚数:169
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
数据保存时间:超过10年
擦写寿命:约3000次
H9TP32A8JDACPR-KGM 具备高密度存储能力,能够以较低成本实现大容量数据存储。
它采用了先进的 NAND Flash 技术,具备以下特点:
1. 高速读写性能:支持 Toggle DDR 2.0 接口协议,提供高达 200MT/s 的传输速率。
2. 小尺寸封装:使用 169 球 FBGA 封装技术,使其非常适合空间受限的应用场景。
3. 节能设计:低功耗模式可以显著减少能源消耗,延长电池驱动设备的续航时间。
4. 可靠性:具有较强的抗干扰能力和较长的数据保存期限,适合长期存储任务。
5. 多页操作支持:允许同时处理多个页面,从而提高效率并简化控制器设计。
H9TP32A8JDACPR-KGM 主要用于以下领域:
1. 固态硬盘(SSD):
由于其大容量和高性能的特点 SSD 中。
2. 移动设备:
包括智能手机、平板电脑和其他便携式电子设备,为其提供快速响应和高效存储功能。
3. 嵌入式系统:
适用于工业控制、车载系统以及其他需要稳定运行环境的嵌入式应用。
4. 存储卡与 USB 设备:
常被用作 microSD 卡或 USB 闪存盘的核心存储组件,满足消费者对于大容量移动存储的需求。
5. 网络通信设备:
路由器、交换机等网络硬件中也会集成此类存储芯片,用于固件存储或临时数据缓冲。
H9TP51A8JDATR-KGM
H9TQ32A8JDBAR-KGM
H9HQ32A8JMBBR-KEM