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H9TP32A4GDDCPRKGM 发布时间 时间:2025/9/1 12:12:37 查看 阅读:7

H9TP32A4GDDCPRKGM是一款由SK海力士(SK Hynix)制造的DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于高带宽内存解决方案的一部分,适用于高性能计算、图形处理、网络设备及嵌入式系统等对内存带宽和容量有较高要求的应用场景。该芯片采用先进的制造工艺,具备较高的数据传输速率和较低的功耗,广泛用于现代电子设备中。

参数

制造商:SK Hynix
  产品类型:DRAM
  内存类型:GDDR5
  容量:4 Gb
  数据速率:5 Gbps
  电压:1.5 V(VDD)/ 1.5 V(VDDQ)
  封装类型:FBGA
  引脚数:192
  接口标准:JEDEC
  工作温度范围:-40°C至+85°C
  尺寸:8 mm x 14 mm
  内存总线宽度:32 bit
  封装尺寸:8 mm x 14 mm x 1.2 mm
  时钟频率:最大800 MHz

特性

H9TP32A4GDDCPRKGM是一款高性能的GDDR5 SDRAM(图形双倍数据速率同步动态随机存取存储器)芯片,其主要特性包括高带宽、低功耗和紧凑的封装设计。该芯片支持高达5 Gbps的数据速率,使其适用于需要大量数据处理的应用,如高端图形卡、游戏主机、工作站和嵌入式计算平台。
  GDDR5内存技术使得该芯片在数据传输速度和能效方面优于传统的DDR SDRAM,其双倍数据速率架构可以在时钟信号的上升沿和下降沿传输数据,从而显著提高内存带宽。H9TP32A4GDDCPRKGM的192引脚FBGA封装设计不仅提供了良好的电气性能,还确保了芯片在高频率运行时的稳定性。
  此外,该芯片支持多种低功耗模式,包括自刷新模式和深度掉电模式,有助于在不牺牲性能的前提下降低功耗,提高系统的能效比。其工作温度范围为-40°C至+85°C,适用于各种工业级和消费级应用环境。
  为了进一步提升性能,该芯片还支持预取架构和差分时钟输入,确保数据在高速传输过程中的完整性。其800 MHz的时钟频率和32位总线宽度组合,使得该芯片的理论带宽达到20 GB/s(5 Gbps x 32位 / 8),非常适合需要高吞吐量的数据密集型应用。

应用

H9TP32A4GDDCPRKGM广泛应用于需要高性能内存的设备,包括高端图形显卡、游戏主机、工业计算机、嵌入式视觉系统、AI加速器、网络交换设备和存储系统。该芯片的高带宽和低延迟特性使其特别适合图形渲染、视频处理、虚拟现实(VR)和增强现实(AR)等应用场景。此外,它也被用于高性能计算(HPC)系统和数据中心加速器卡,以提供快速的数据存取能力。

替代型号

H9TP32A4GDDCPRKGM的替代型号包括H9TP32A4GDDACRKM(同样由SK Hynix生产,具有相似的性能参数但可能封装或电压略有不同)以及来自其他厂商的兼容型号如Micron的D9PNJ或Samsung的K4G80325FB。在选择替代型号时,应确保新芯片的封装、电压和时序参数与原设计兼容。

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