时间：2025/9/2 9:27:57
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H9TP2GG1GBACTR-4DM 是由SK Hynix（海力士）生产的一款高密度、高性能的DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该型号属于LPDDR4（低功耗双倍数据速率第四代）系列，专为移动设备和高性能计算应用设计，具备低功耗、高速度和高可靠性等特点。
封装类型：FBGA
存储容量：2Gb（256MB x 8）
数据速率：3200Mbps
工作电压：1.1V
接口类型：LPDDR4
时钟频率：1600MHz
数据总线宽度：x16
封装尺寸：10.5mm x 9.5mm x 0.8mm
温度范围：-40°C 至 +85°C
H9TP2GG1GBACTR-4DM 采用先进的LPDDR4技术，具有显著的性能优势。其工作电压仅为1.1V，能够在保证高速数据传输的同时，有效降低功耗，适用于对能耗敏感的移动设备。该芯片支持高达3200Mbps的数据速率，使得其在图像处理、视频流传输和高性能计算任务中表现出色。
此外，该芯片具备出色的热稳定性和电气稳定性，可在广泛的温度范围内（-40°C至+85°C）稳定运行，适用于工业级和消费级电子产品。其x16的数据总线宽度设计提升了数据吞吐能力，使得系统响应更加快速，运行更加流畅。
封装方面，H9TP2GG1GBACTR-4DM 使用紧凑的FBGA封装形式，尺寸仅为10.5mm x 9.5mm x 0.8mm，有助于节省PCB空间，适用于对空间要求严格的便携式设备设计。
该芯片广泛应用于智能手机、平板电脑、高性能嵌入式系统、车载娱乐系统、工业控制设备和物联网设备等领域。其低功耗与高性能的结合，使其成为需要快速数据处理和长续航能力设备的理想选择。
H9TP2GG1GBACUR-4DM, H9TP2GG1GBADMR-4DM, H9TP2GG1GBADR-4DM
