时间：2025/9/2 9:32:54
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H9TP26ABLDMCNR-KGM 是一款由SK Hynix（海力士）公司制造的移动式DRAM（LPDDR4）存储器芯片。这款芯片主要用于高端智能手机、平板电脑以及其他需要高性能和低功耗内存的移动设备。LPDDR4是低功耗双倍数据速率第四代同步动态随机存取存储器，广泛应用于现代移动设备中，以提供快速的数据访问和高效的能源管理。
容量：4GB
类型：LPDDR4 SDRAM
封装类型：FBGA
电压：1.1V
频率：1600MHz
数据速率：3200Mbps
位宽：16位
工作温度范围：-40°C至+85°C
封装尺寸：9mm x 13mm
H9TP26ABLDMCNR-KGM 具有以下主要特性：
1. **高性能**：该芯片支持高达3200Mbps的数据传输速率，提供快速的数据访问能力，满足高性能计算需求。其1600MHz的时钟频率确保了设备在运行大型应用程序或多任务处理时的流畅性。
2. **低功耗设计**：作为LPDDR4内存的一部分，该芯片采用1.1V的核心电压供电，相比前代LPDDR3内存，功耗降低约20%，有助于延长移动设备的电池寿命。
3. **紧凑封装**：该芯片采用小型FBGA（Fine Ball Grid Array）封装，尺寸为9mm x 13mm，适合空间受限的移动设备设计，同时提供良好的散热性能和电气性能。
4. **高集成度**：该芯片集成了4GB的存储容量，单颗芯片即可满足现代智能手机和平板电脑对内存容量的需求，减少主板上的内存芯片数量，简化设计并降低成本。
5. **宽温工作范围**：支持-40°C至+85°C的工作温度范围，适用于各种严苛环境下的设备运行，包括高温高湿或低温环境。
6. **兼容性强**：该芯片符合JEDEC标准，确保与各种移动平台和SoC（系统级芯片）的兼容性，便于系统设计和升级。
H9TP26ABLDMCNR-KGM 主要应用于以下领域：
1. **智能手机**：作为高端智能手机的主内存，支持多任务处理、大型游戏、高清视频播放等高性能应用场景。
2. **平板电脑**：提供高速内存支持，满足平板电脑在图形处理、多媒体播放和多任务操作中的性能需求。
3. **嵌入式系统**：适用于需要高性能与低功耗内存的嵌入式设备，如车载信息娱乐系统、工业控制设备等。
4. **可穿戴设备**：虽然主要面向高端设备，但在某些需要较高性能的可穿戴设备中，该芯片也可作为主内存使用。
5. **测试与开发设备**：用于开发和测试阶段的参考设计，帮助工程师评估内存性能并优化系统设计。
H9TP32A4UDDCNR-KGM, H9TP26ABRDMCNR-KGM, H9TP16ABDDDCNR-KGM
