容量：8 Gbit
　　类型：GDDR5
　　电压：1.5V（VDD），2.5V（VTT）
　　数据速率：7 Gbps
　　接口：x32
　　封装：BGA
　　温度范围：商业级（0°C 至 +85°C）
　　制造工艺：先进的DRAM技术

H9TP17ABLDMCNR_KGM 是一款高性能的GDDR5内存芯片，其主要特性包括高数据传输速率、低延迟和高可靠性。该芯片的数据速率达到7 Gbps，能够支持高带宽需求的应用场景。此外，GDDR5内存相较于前一代GDDR3和GDDR4内存，在功耗和性能方面都有显著提升。其低电压设计（1.5V VDD和2.5V VTT）有助于降低功耗并减少热量产生，从而提高设备的稳定性和寿命。
　　该芯片采用x32接口设计，提供了较宽的数据总线，进一步提升了数据吞吐量。同时，H9TP17ABLDMCNR_KGM 支持多种刷新模式和自刷新模式，以确保数据在高负载和低功耗模式下的完整性。其BGA封装形式不仅提供了良好的电气连接，还增强了散热性能，适合在高密度PCB布局中使用。
　　这款内存芯片还具备较强的抗干扰能力，能够在高频率下稳定工作。此外，H9TP17ABLDMCNR_KGM 还支持多种测试和诊断功能，便于系统开发者进行调试和性能优化。

H9TP17ABLDMCNR_KGM 主要应用于需要高带宽内存支持的图形处理器（GPU）、独立显卡、游戏主机以及高性能计算设备。其高数据传输速率和低延迟特性使其非常适合用于处理复杂的3D图形、高清视频流和大规模并行计算任务。此外，该芯片也常用于服务器和工作站中的图形加速卡，以提升图形处理能力和系统响应速度。由于其稳定性和高性能，H9TP17ABLDMCNR_KGM 也广泛应用于工业控制、医疗成像和高端消费类电子产品中。

H9TP17ABLDMLR_KGM, H9TP17ABLDMLR_KGM