类型：DRAM
　　容量：2GB（16Gb）
　　封装类型：FBGA
　　引脚数：153
　　工作电压：1.1V（VDD）/1.8V（VDDQ）
　　数据速率：3200Mbps
　　时钟频率：1600MHz
　　数据宽度：x16
　　封装尺寸：8mm x 10mm x 0.8mm
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

H9TP17A8LDMCNR-KGM 是一款采用先进工艺制造的LPDDR4 SDRAM芯片，具备出色的性能和能效表现。其主要特性包括：高数据速率（3200Mbps），支持快速的数据传输；低工作电压（1.1V/1.8V）显著降低了功耗，延长了移动设备的电池续航时间；紧凑的FBGA封装（8mm x 10mm）适合高密度PCB布局，适用于智能手机、平板电脑和嵌入式系统等空间受限的应用场景；支持自动刷新和自刷新模式，确保数据在低功耗状态下的完整性；具备温度补偿自刷新（TCSR）功能，能够在高温环境下保持稳定的运行；具有多段预取架构，提升数据吞吐量和系统响应速度。此外，该芯片符合RoHS环保标准，支持绿色环保设计。
　　在信号完整性和稳定性方面，H9TP17A8LDMCNR-KGM 支持差分时钟（CK_t/CK_c）和片选信号（CS），确保高速数据传输的稳定性；具备ODT（片上终端电阻）功能，有助于减少信号反射和提高系统稳定性；支持ZQ校准，可自动调整输出驱动强度和ODT阻抗，确保与主控芯片之间的信号匹配；其内部组织结构为8个Bank组，支持并发操作，提高内存访问效率；采用双倍数据速率架构，在每个时钟周期的上升沿和下降沿均可传输数据，从而实现更高的带宽利用率。

H9TP17A8LDMCNR-KGM 主要用于高性能移动设备和嵌入式系统，如高端智能手机、平板电脑、智能穿戴设备、车载信息娱乐系统（IVI）等。此外，该芯片也适用于需要高带宽和低功耗的边缘计算设备、AI加速模块、工业控制主板、网络路由器和交换机等应用场景。其优异的性能和稳定性使其成为现代高性能计算平台的理想内存解决方案。

H9TP17A8LDMCNR-NEC、H9TP17A8JDACNR-KGM、H9TP17A8JDMCNR-NEC