类型：DRAM（HBM2）
　　容量：4GB
　　接口：HBM2
　　数据速率：2.4Gbps
　　电压：1.3V
　　封装：3D堆叠封装
　　工作温度：-40°C至+85°C

H9TKNNNBPOMR-ARNGM 是一款高性能的HBM2内存芯片，具有以下显著特性：
　　首先，其采用的3D堆叠封装技术大大提高了存储密度，同时减少了内存模块的物理尺寸，非常适合空间受限的应用环境。该芯片的容量为4GB，支持高带宽的数据传输，适用于需要快速处理大量数据的应用场景，如GPU显存、AI加速器和高性能计算系统。
　　其次，H9TKNNNBPOMR-ARNGM 的数据传输速率高达2.4Gbps，显著提升了内存带宽，从而提高了整体系统性能。这种高速度特性使其在图形处理、深度学习和科学计算等对内存带宽敏感的领域中表现出色。
　　此外，该芯片的工作电压为1.3V，具有较低的功耗和较高的能效，适用于对功耗敏感的系统设计。其宽温度范围（-40°C至+85°C）也使其能够在各种环境条件下稳定运行，适用于工业级和嵌入式应用。
　　最后，H9TKNNNBPOMR-ARNGM 采用了HBM2标准接口，兼容现有的HBM2生态系统，便于系统集成和升级。这种兼容性确保了其可以无缝集成到现代高性能计算平台中，为系统设计提供了更大的灵活性和可扩展性。

H9TKNNNBPOMR-ARNGM 主要用于需要高带宽内存的应用场景，如高端图形处理单元（GPU）、人工智能加速器、高性能计算（HPC）系统、网络设备和数据中心服务器。其高带宽、低功耗和小尺寸特性也使其适用于嵌入式系统和工业控制设备。

H9TNNNN8PMML-ARNGM
　　H9TNNNN8PMMR-ARNGM