H9TKNNNBPDMR 时间：2025/9/1 21:48:02 阅读：3

H9TKNNNBPDMR 是由 SK Hynix（海力士）生产的一款高密度、高性能的 NAND 闪存芯片。该型号属于 3D V-NAND 技术的产品，适用于大容量存储解决方案，如固态硬盘（SSD）、嵌入式存储系统等。H9TKNNNBPDMR 提供了较高的读写速度和可靠性，适合在高性能计算、数据中心、企业级存储设备中使用。

参数

容量：512GB
　　接口类型：ONFI 4.0 / Toggle Mode 3.0
　　工作电压：3.3V / 1.8V / 1.2V
　　数据传输速率：1200MT/s（Toggle Mode 3.0）
　　工艺技术：3D V-NAND（层数为96层或更高）
　　封装形式：BGA 封装
　　工作温度范围：0°C 至 +85°C
　　

特性

H9TKNNNBPDMR 的核心优势在于其采用先进的 3D V-NAND 技术，相较于传统的 2D NAND，在密度、性能和耐用性方面都有显著提升。
　　其 3D 堆叠结构减少了单元间的干扰，提高了数据存储的稳定性和可靠性。
　　该芯片支持高速数据传输，最大数据速率可达 1200MT/s，满足高性能存储应用对带宽的需求。
　　此外，H9TKNNNBPDMR 具备低功耗设计，适合用于对能耗敏感的应用场景，如移动设备和便携式存储设备。
　　该 NAND 闪存芯片还具备较强的纠错能力，支持 LDPC（低密度奇偶校验码）纠错算法，延长了产品的使用寿命并提高了数据完整性。
　　在封装方面，H9TKNNNBPDMR 使用 BGA（球栅阵列）封装，提供了良好的电气性能和散热能力，适应高密度 PCB 布局需求。
　　该芯片还支持多种高级功能，例如坏块管理、磨损均衡和数据刷新技术，进一步增强了存储系统的稳定性和耐用性。

应用

H9TKNNNBPDMR 主要应用于高性能存储设备，如企业级和消费级固态硬盘（SSD），以及嵌入式存储系统，如高端智能手机、平板电脑、服务器存储模块和工业级数据存储设备。
　　此外，该芯片也适用于需要高容量、高速度和高可靠性的场景，例如数据中心、云计算、人工智能加速器和边缘计算设备中的存储模块。
　　由于其低功耗特性，H9TKNNNBPDMR 也广泛用于笔记本电脑、超极本和其他移动设备中，为用户提供快速、稳定的数据读写体验。
　　同时，该芯片可作为高性能缓存存储器使用，提升整体系统的响应速度和运行效率。