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H9TKNNNBPDMPQR-NDH 发布时间 时间:2025/9/1 17:15:06 查看 阅读:4

H9TKNNNBPDMPQR-NDH 是一款由Hynix(现为SK hynix)制造的DRAM(动态随机存取存储器)芯片,广泛用于高性能计算、服务器、图形处理和消费类电子产品中。这款DRAM芯片采用先进的制造工艺,提供高速数据访问、低功耗和高可靠性,适用于各种需要大量数据处理能力的系统。

参数

类型:DRAM
  容量:256MB / 512MB / 1GB(具体取决于具体型号)
  封装:BGA
  电压:1.8V - 3.3V(根据版本不同)
  接口:并行接口
  频率:166MHz - 200MHz
  数据宽度:16位/32位/64位
  工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)

特性

H9TKNNNBPDMPQR-NDH DRAM芯片具备多个关键特性,使其适用于高性能系统。首先,它提供高速数据传输速率,适用于需要快速数据存取的应用,如显卡、嵌入式系统和网络设备。其次,该芯片采用低功耗设计,有助于降低整体系统功耗,提高能效。此外,它具有较高的稳定性和可靠性,适用于长时间运行的工业和服务器级应用。其封装形式为BGA,有助于提高封装密度和散热性能。最后,该芯片支持标准的DRAM接口协议,便于与各种主控芯片进行连接和集成。

应用

该DRAM芯片主要用于高性能计算设备、服务器内存、图形卡(GPU显存)、工业控制系统、通信设备、高端消费电子产品(如游戏主机和笔记本电脑)等需要高速内存的场合。

替代型号

H9TKNNNBPDMPQR-NDR
  H9TKNNNBPDMBCR-NDH
  H9TKNNNBPDMBCR-NDR
  H9TPNNN8GD17A08RELP

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