容量：16Gb（2GB）
　　类型：LPDDR5 SDRAM
　　封装：FBGA
　　工作电压：1.05V / 1.5V
　　数据速率：6400Mbps
　　位宽：x16
　　封装尺寸：12mm x 10mm
　　工作温度：-40°C 至 +85°C

H9TKNNNACDMRAR-NGM 是一款高性能的LPDDR5内存芯片，具备多项先进的技术特性。
　　首先，该芯片采用LPDDR5标准，支持高达6400Mbps的数据传输速率，显著提升了数据处理效率，能够满足5G通信、AI计算和高清视频处理等高带宽需求的应用场景。
　　其次，H9TKNNNACDMRAR-NGM 工作电压分为1.05V（VDDQ）和1.5V（VDD），相比前代LPDDR4X，在功耗方面有了显著降低，从而提高了设备的能效，延长了电池续航时间。
　　此外，该芯片采用12mm x 10mm的FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array）封装形式，具有良好的电气性能和散热能力，适用于紧凑型主板设计，确保在高密度PCB布局下的稳定运行。
　　该芯片支持多种低功耗模式，包括深度睡眠模式（Deep Power Down）、自刷新模式（Self-Refresh）等，进一步优化了系统的能耗管理。
　　其工作温度范围为-40°C至+85°C，适用于各种复杂环境下的工业和消费类电子产品。

H9TKNNNACDMRAR-NGM 主要应用于需要高性能内存支持的电子设备。例如，该芯片广泛用于高端智能手机和5G移动设备，以满足其对高速数据处理和多任务运行的需求。此外，该芯片也适用于平板电脑、可穿戴设备、AR/VR头显设备以及高性能嵌入式系统。在车载电子系统中，H9TKNNNACDMRAR-NGM 可用于信息娱乐系统、高级驾驶辅助系统（ADAS）等模块，提供稳定的内存支持。同时，它也适用于工业控制设备和物联网（IoT）设备，以提升整体系统响应速度和能效。

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