H9TKNNN8PDMP 是一款由 SK Hynix(海力士)公司生产的高密度、高性能的 NAND Flash 存储器芯片。该芯片采用先进的制造工艺,具备高容量、低功耗和高速读写性能,广泛应用于智能手机、平板电脑、固态硬盘(SSD)以及其他嵌入式存储设备中。H9TKNNN8PDMP 的封装形式通常为 BGA(球栅阵列封装),适用于空间受限的便携式设备。
容量:8GB(64Gb)
工艺技术:NAND Flash
封装类型:BGA
电压范围:1.8V - 3.3V
接口类型:ONFI 2.3 / Toggle Mode
读取速度:高达 200MB/s
写入速度:高达 150MB/s
擦除时间:块擦除时间约为 2ms
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
H9TKNNN8PDMP 具备多项先进特性,以满足现代电子设备对存储性能和可靠性的高要求。首先,该芯片采用高密度 NAND Flash 技术,提供高达 8GB 的存储容量,适用于需要大容量存储的应用场景。其支持 ONFI 2.3 和 Toggle Mode 两种接口模式,确保了与不同主控芯片的兼容性,同时也提升了数据传输效率。芯片的低功耗设计使其在移动设备中表现优异,有助于延长电池续航时间。此外,H9TKNNN8PDMP 的读取速度高达 200MB/s,写入速度可达 150MB/s,能够满足高速数据存取的需求,如高清视频录制、大型应用程序运行等。该芯片还具备良好的耐久性和数据保持能力,支持高达 3000 次的编程/擦除周期(P/E Cycles),并可在 -40°C 至 +85°C 的宽温度范围内稳定工作,适应各种恶劣环境。BGA 封装形式不仅节省空间,还提供了优异的电气性能和机械稳定性,适合高密度 PCB 布局和自动化生产。
此外,H9TKNNN8PDMP 还内置 ECC(错误校正码)机制,可在数据读写过程中自动检测并纠正错误,提升数据完整性与系统稳定性。其支持多平面操作(Multi-plane Operation),可同时对多个存储区域进行操作,进一步提高存储效率。这些特性使得 H9TKNNN8PDMP 在嵌入式系统、移动设备以及工业控制设备中具有广泛的应用前景。
H9TKNNN8PDMP 主要应用于需要大容量、高速度和低功耗存储的电子设备,包括智能手机、平板电脑、智能穿戴设备、车载导航系统、固态硬盘(SSD)、嵌入式多媒体控制器(eMMC)、工业计算机和物联网(IoT)设备等。其高速读写能力和低功耗特性使其特别适合用于移动终端设备,而其宽工作温度范围也使其适用于工业级和汽车级应用环境。此外,该芯片还可用于数据记录仪、监控摄像头、便携式医疗设备等对存储性能和可靠性有较高要求的产品中。
H9TPNNN8GDACPR_KUM, H9TQNNN8GDACPR_KUM, KLM8G1GETF-B041, THGBM5G8A2JBAIR