H9TKNNN8PDMP 时间：2025/9/2 2:46:47 阅读：27

H9TKNNN8PDMP 是一款由 SK Hynix（海力士）公司生产的高密度、高性能的 NAND Flash 存储器芯片。该芯片采用先进的制造工艺，具备高容量、低功耗和高速读写性能，广泛应用于智能手机、平板电脑、固态硬盘（SSD）以及其他嵌入式存储设备中。H9TKNNN8PDMP 的封装形式通常为 BGA（球栅阵列封装），适用于空间受限的便携式设备。

参数

容量：8GB（64Gb）
　　工艺技术：NAND Flash
　　封装类型：BGA
　　电压范围：1.8V - 3.3V
　　接口类型：ONFI 2.3 / Toggle Mode
　　读取速度：高达 200MB/s
　　写入速度：高达 150MB/s
　　擦除时间：块擦除时间约为 2ms
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

特性

H9TKNNN8PDMP 具备多项先进特性，以满足现代电子设备对存储性能和可靠性的高要求。首先，该芯片采用高密度 NAND Flash 技术，提供高达 8GB 的存储容量，适用于需要大容量存储的应用场景。其支持 ONFI 2.3 和 Toggle Mode 两种接口模式，确保了与不同主控芯片的兼容性，同时也提升了数据传输效率。芯片的低功耗设计使其在移动设备中表现优异，有助于延长电池续航时间。此外，H9TKNNN8PDMP 的读取速度高达 200MB/s，写入速度可达 150MB/s，能够满足高速数据存取的需求，如高清视频录制、大型应用程序运行等。该芯片还具备良好的耐久性和数据保持能力，支持高达 3000 次的编程/擦除周期（P/E Cycles），并可在 -40°C 至 +85°C 的宽温度范围内稳定工作，适应各种恶劣环境。BGA 封装形式不仅节省空间，还提供了优异的电气性能和机械稳定性，适合高密度 PCB 布局和自动化生产。
　　此外，H9TKNNN8PDMP 还内置 ECC（错误校正码）机制，可在数据读写过程中自动检测并纠正错误，提升数据完整性与系统稳定性。其支持多平面操作（Multi-plane Operation），可同时对多个存储区域进行操作，进一步提高存储效率。这些特性使得 H9TKNNN8PDMP 在嵌入式系统、移动设备以及工业控制设备中具有广泛的应用前景。

应用

H9TKNNN8PDMP 主要应用于需要大容量、高速度和低功耗存储的电子设备，包括智能手机、平板电脑、智能穿戴设备、车载导航系统、固态硬盘（SSD）、嵌入式多媒体控制器（eMMC）、工业计算机和物联网（IoT）设备等。其高速读写能力和低功耗特性使其特别适合用于移动终端设备，而其宽工作温度范围也使其适用于工业级和汽车级应用环境。此外，该芯片还可用于数据记录仪、监控摄像头、便携式医疗设备等对存储性能和可靠性有较高要求的产品中。