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H9TKNNN8KDMPQR-NGMR 发布时间 时间:2025/9/2 7:39:32 查看 阅读:4

H9TKNNN8KDMPQR-NGMR是一款由SK海力士(SK Hynix)制造的高密度、高性能的DRAM(动态随机存取存储存储器)芯片,属于其移动存储解决方案的一部分。该型号通常用于高端智能手机、平板电脑和其他需要高速数据处理和大容量内存的移动设备中。H9TKNNN8KDMPQR-NGMR采用了先进的制造工艺,提供较高的数据传输速率、较低的功耗和良好的稳定性,适用于需要高性能内存支持的应用场景。

参数

容量:8GB(具体容量根据配置可能有所不同)
  类型:LPDDR4X
  封装类型:BGA(球栅阵列封装)
  数据速率:4266 Mbps(具体速率根据型号和配置可能有所不同)
  电压:1.1V(标准电压)
  工作温度范围:0°C至85°C(商业级)
  封装尺寸:根据具体封装设计可能为8mm x 12mm或类似规格

特性

H9TKNNN8KDMPQR-NGMR采用了LPDDR4X技术,提供了更高的带宽和更低的功耗,适用于需要高性能和低功耗的移动设备。该芯片支持高数据传输速率,能够满足现代移动设备对快速数据处理的需求。此外,该芯片的封装设计紧凑,适合集成到空间受限的设备中,同时具备良好的散热性能和稳定性。其低电压设计不仅有助于延长设备电池寿命,还能减少热量生成,提高设备的可靠性。H9TKNNN8KDMPQR-NGMR还具备强大的兼容性,能够与多种移动处理器和主控芯片配合使用。

应用

H9TKNNN8KDMPQR-NGMR广泛应用于高端智能手机、平板电脑、可穿戴设备以及嵌入式系统等需要高性能和低功耗内存的移动设备中。它能够为这些设备提供快速的数据访问能力和大容量的存储空间,从而提升整体系统性能。

替代型号

H9HKNNN8GAMUFR-NGML
  H9HKNNN8GAMUR-NGML

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