时间：2025/9/2 7:23:52
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H9TKNNN8KDMPQR-NDM 是由SK Hynix（海力士）生产的一款高密度、高性能的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于其移动内存产品系列，主要面向高端智能手机、平板电脑及其他便携式电子设备。这款DRAM芯片采用先进的封装技术和高密度存储单元设计，提供大容量存储和快速数据访问能力，适用于对内存性能要求极高的现代移动计算平台。
容量：8GB（64Gb）
类型：LPDDR4x SDRAM
数据速率：4266Mbps
电压：1.1V（核心电压VDD），0.6V（辅助电压VDDQ）
封装形式：186-ball FBGA（Fine Pitch Ball Grid Array）
接口：x16（16位数据总线）
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
制造工艺：基于10nm级（1x nm）DRAM制造技术
H9TKNNN8KDMPQR-NDM 是一款低功耗、高性能的移动DRAM芯片，具备出色的能效比和稳定性。其采用的LPDDR4x技术相较于前代LPDDR4，在功耗方面有显著降低，有助于延长移动设备的电池续航时间。该芯片支持高带宽数据传输，数据速率达到4266Mbps，能够满足高分辨率显示、多任务处理以及高性能计算应用的需求。
此外，该DRAM芯片采用186-ball FBGA封装，具有较小的封装尺寸，适合用于空间受限的便携式设备。其内部存储单元采用高密度设计，单颗芯片容量高达8GB，能够为高端智能手机、平板电脑及可穿戴设备提供充足的内存资源。
在温度适应性方面，H9TKNNN8KDMPQR-NDM 能在-40°C至+85°C的宽温度范围内稳定工作，适用于各种复杂的工作环境。该芯片还内置了多种节能模式，如自刷新模式（Self-Refresh Mode）和深度掉电模式（Deep Power Down Mode），以进一步降低功耗并提高系统效率。
H9TKNNN8KDMPQR-NDM 主要应用于高端智能手机、平板电脑、可穿戴设备、车载信息娱乐系统（IVI）、嵌入式系统以及需要大容量、低功耗内存的移动计算设备。由于其高性能和低功耗特性，它也非常适合用于人工智能（AI）、机器学习（ML）加速、图像处理及多任务处理等高性能计算场景。
H9HKNNN8ASMCUR-NEC H9HKNNN8ASMCUR-NED H9HKNNN8ASMCUR-NEM
