时间：2025/9/1 18:57:46
阅读：23
H9TKNNN8JDMRHR-NDM 是由SK Hynix公司生产的一款高密度、高性能的DRAM（动态随机存取存储器）芯片。这款芯片采用先进的制造工艺，具备高容量和低功耗的特点，广泛用于需要高速数据存储和处理的应用场景。其封装形式为BGA（球栅阵列封装），具有优异的电气性能和散热能力。
容量：8GB
类型：DRAM
封装：BGA
电压：1.2V
频率：3200Mbps
带宽：25.6GB/s
工作温度：-40°C至+85°C
H9TKNNN8JDMRHR-NDM 是一款高性能的DRAM芯片，具有较高的存储密度和出色的运行效率。该芯片采用了SK Hynix的先进工艺技术，使其在高频操作下仍能保持稳定的性能表现。其低电压设计有助于降低功耗，提高设备的能源效率，同时减少热量的产生，从而延长设备的使用寿命。
此外，H9TKNNN8JDMRHR-NDM 的BGA封装形式提供了优异的电气连接性能和散热能力，确保在高负载环境下依然能够稳定运行。该芯片支持高速数据传输，适用于对数据处理速度要求较高的设备，如服务器、高端PC、图形工作站等。
为了满足不同应用场景的需求，该芯片还具备良好的兼容性，能够与其他硬件组件无缝协作，提供流畅的系统运行体验。其高可靠性和稳定性使其成为工业级和商业级设备的理想选择。
H9TKNNN8JDMRHR-NDM 主要应用于高性能计算设备、服务器、图形工作站、高端个人电脑以及各类需要高速数据存储和处理的嵌入式系统。
H9TCNNN8JDMRHR-NDM
H9TNNN8JDMRHR-NDM
