H9TKNNN8JDMR 时间：2025/9/1 18:23:17 阅读：27

H9TKNNN8JDMR是一款由SK Hynix（海力士）生产的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，采用高密度存储技术，适用于需要高速数据处理和大容量内存的电子设备。这款DRAM芯片的容量为8GB，工作频率为2400MHz，采用FBGA（细间距球栅阵列）封装，具有较高的稳定性和性能表现。它广泛应用于笔记本电脑、台式机、服务器以及高性能计算设备中。

参数

容量：8GB
　　频率：2400MHz
　　电压：1.2V
　　封装类型：FBGA
　　数据宽度：x16
　　工作温度：0°C至85°C

特性

H9TKNNN8JDMR具备多项先进技术特性，首先，它采用了低电压设计（1.2V），在保证性能的同时降低了功耗，适用于对能耗敏感的应用场景。
　　其次，该芯片支持x16的数据宽度，能够提供更高的数据传输效率，适用于需要高带宽的应用需求。
　　此外，其FBGA封装形式不仅提高了封装密度，还增强了芯片的散热性能和机械稳定性，确保在高负载环境下也能稳定运行。
　　该芯片还支持自动刷新和自刷新功能，有效延长数据保持时间，减少系统功耗。
　　最后，H9TKNNN8JDMR的2400MHz频率支持高速数据访问，适用于现代计算平台对内存速度的高要求。

应用

H9TKNNN8JDMR主要应用于需要大容量内存和高速数据处理能力的设备中。例如，在个人计算机和笔记本电脑中，它可以作为主内存使用，提升系统运行速度和多任务处理能力。
　　在服务器和数据中心领域，该芯片能够满足高并发数据处理的需求，提升整体系统性能。
　　此外，它也适用于嵌入式系统、工业控制设备和网络通信设备，提供稳定可靠的内存支持。
　　对于需要图形处理能力的应用，如游戏主机和图形工作站，H9TKNNN8JDMR也可以作为显存使用，提升图形渲染速度和性能。
　　由于其高稳定性和宽工作温度范围，该芯片也适用于车载电子系统和工控设备等对环境要求较高的应用场景。