时间：2025/9/2 1:26:54
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H9TKNNN8JDBPLR-NGH 是由SK Hynix（海力士）生产的一款高带宽内存（HBM，High Bandwidth Memory）芯片。该芯片采用3D堆叠封装技术，通过硅通孔（TSV，Through Silicon Via）实现高速数据传输，适用于高性能计算（HPC）、图形处理单元（GPU）、人工智能（AI）加速器以及高端游戏显卡等需要极高内存带宽的应用场景。H9TKNNN8JDBPLR-NGH属于HBM2或HBM2E标准的产品系列，具有较高的容量和能效。
容量：8GB
内存标准：HBM2/HBM2E
带宽：最高可达410 GB/s
数据速率：3.2 Gbps
封装类型：3D堆叠TSV封装
电压：1.2V
工作温度范围：0°C至95°C
H9TKNNN8JDBPLR-NGH 是一款面向下一代高性能计算平台的先进内存解决方案。其主要特点包括高带宽、低延迟和高能效比。该芯片采用3D堆叠技术与硅通孔（TSV）互连，极大地提升了数据传输速度和封装密度。相比传统GDDR5或GDDR6内存，HBM系列内存的带宽显著提高，同时由于更短的信号路径，延迟更低。此外，该芯片的封装体积较小，有助于减少PCB板空间占用，适合用于高密度GPU和AI加速器设计。H9TKNNN8JDBPLR-NGH还具备良好的热管理能力，能够在较高温度下稳定运行，适用于高性能图形处理和计算密集型任务。
该芯片支持高密度存储配置，每个堆叠包含多个DRAM层，通过宽总线接口与GPU或其他计算单元直接连接，从而避免了传统内存架构的带宽瓶颈。这种设计使得它在AI训练、实时渲染、科学计算和高端游戏等对内存带宽敏感的应用中表现尤为出色。
H9TKNNN8JDBPLR-NGH 主要应用于高性能图形处理单元（GPU）、AI加速卡、数据中心计算加速器、高端游戏显卡、虚拟现实（VR）设备以及需要高带宽内存的嵌入式系统。
H9TNNNN8JDMCLR-NGH, H5ANM8NJ2GMR
