时间：2025/9/2 8:47:07
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H9TKNNN8JDAPLR-NGM 是一款由SK Hynix（海力士）公司生产的高密度、高性能的DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该型号属于LPDDR4（低功耗双倍数据速率第4代）系列，专为移动设备和嵌入式系统设计，具备高速传输和低功耗的特点。该芯片封装紧凑，适用于智能手机、平板电脑、便携式游戏设备以及高性能计算模块。
容量：8GB（64bit x 1G x 8 Banks）
电压：1.1V（VDD/VDDQ）
频率：3200Mbps
封装类型：FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array）
工作温度范围：-40°C至+85°C
接口：LPDDR4
数据宽度：64位
封装尺寸：13mm x 11.5mm x 0.8mm
时钟频率：1600MHz
H9TKNNN8JDAPLR-NGM 是一款先进的LPDDR4 DRAM芯片，采用先进的1Gbit工艺制造，具备出色的性能和能效。该芯片支持高速数据传输速率，最高可达3200Mbps，满足现代高性能计算应用对内存带宽的需求。其低电压设计（1.1V）显著降低了功耗，延长了设备的电池续航时间，特别适用于移动设备。
此外，H9TKNNN8JDAPLR-NGM 支持多种低功耗模式，如深度掉电模式、自刷新模式和预充电功率下降模式，进一步优化了系统的能效表现。其封装采用FBGA（细间距球栅阵列）技术，确保良好的电气性能和机械稳定性，同时具备较高的散热效率，适用于高密度PCB布局。
该芯片支持8个内部Bank组（Bank Group）架构，提供更高效的内存访问机制，减少延迟并提升数据吞吐能力。其内置的温度传感器可监测芯片的工作温度，确保在高温环境下仍能稳定运行。H9TKNNN8JDAPLR-NGM 还支持纠错码（ECC）功能，增强数据的可靠性，适用于对数据完整性要求较高的应用场景。
H9TKNNN8JDAPLR-NGM 主要用于高端智能手机、平板电脑、便携式游戏设备、嵌入式计算模块以及车载信息娱乐系统。其高速度和低功耗的特性使其成为移动设备的理想选择，同时也适用于需要高性能内存支持的工业控制和物联网设备。
H9HKNNN8GBAPLR-NEM, H9HKNNN8GDAPLR-NEM, H9HKNNN8GDAWAR-NEU
