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H9TKNNN8JDAPLR-NGM 发布时间 时间:2025/9/2 8:47:07 查看 阅读:10

H9TKNNN8JDAPLR-NGM 是一款由SK Hynix(海力士)公司生产的高密度、高性能的DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该型号属于LPDDR4(低功耗双倍数据速率第4代)系列,专为移动设备和嵌入式系统设计,具备高速传输和低功耗的特点。该芯片封装紧凑,适用于智能手机、平板电脑、便携式游戏设备以及高性能计算模块。

参数

容量:8GB(64bit x 1G x 8 Banks)
  电压:1.1V(VDD/VDDQ)
  频率:3200Mbps
  封装类型:FBGA(Fine-Pitch Ball Grid Array)
  工作温度范围:-40°C至+85°C
  接口:LPDDR4
  数据宽度:64位
  封装尺寸:13mm x 11.5mm x 0.8mm
  时钟频率:1600MHz

特性

H9TKNNN8JDAPLR-NGM 是一款先进的LPDDR4 DRAM芯片,采用先进的1Gbit工艺制造,具备出色的性能和能效。该芯片支持高速数据传输速率,最高可达3200Mbps,满足现代高性能计算应用对内存带宽的需求。其低电压设计(1.1V)显著降低了功耗,延长了设备的电池续航时间,特别适用于移动设备。
  此外,H9TKNNN8JDAPLR-NGM 支持多种低功耗模式,如深度掉电模式、自刷新模式和预充电功率下降模式,进一步优化了系统的能效表现。其封装采用FBGA(细间距球栅阵列)技术,确保良好的电气性能和机械稳定性,同时具备较高的散热效率,适用于高密度PCB布局。
  该芯片支持8个内部Bank组(Bank Group)架构,提供更高效的内存访问机制,减少延迟并提升数据吞吐能力。其内置的温度传感器可监测芯片的工作温度,确保在高温环境下仍能稳定运行。H9TKNNN8JDAPLR-NGM 还支持纠错码(ECC)功能,增强数据的可靠性,适用于对数据完整性要求较高的应用场景。

应用

H9TKNNN8JDAPLR-NGM 主要用于高端智能手机、平板电脑、便携式游戏设备、嵌入式计算模块以及车载信息娱乐系统。其高速度和低功耗的特性使其成为移动设备的理想选择,同时也适用于需要高性能内存支持的工业控制和物联网设备。

替代型号

H9HKNNN8GBAPLR-NEM, H9HKNNN8GDAPLR-NEM, H9HKNNN8GDAWAR-NEU

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