时间：2025/9/3 19:47:49
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H9TKNNN8JDAPLR-NGHR 是由SK Hynix（海力士）生产的一款高性能、低功耗的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于其高密度DRAM产品系列。该芯片采用先进的制造工艺，具备较大的存储容量和较高的数据存取速度，适用于对性能和功耗有较高要求的电子设备，如智能手机、平板电脑、嵌入式系统、工业控制设备等。该封装和设计旨在满足高密度内存需求，同时优化功耗和散热性能。
类型：DRAM
容量：8GB
封装类型：BGA
数据速率：2400Mbps
工作电压：1.2V
接口类型：LPDDR4X
温度范围：-40°C 至 +85°C
封装尺寸：134-ball FBGA
通道数：2
位宽：x16
H9TKNNN8JDAPLR-NGHR 芯片采用先进的LPDDR4X技术，提供高达2400Mbps的数据传输速率，确保快速的数据存取能力，适用于需要高性能内存的应用场景。
低功耗设计是该芯片的重要特性之一，1.2V的工作电压显著降低了运行功耗，有助于延长电池供电设备的续航时间。
该芯片采用134-ball FBGA封装，体积小巧，适合在空间受限的移动设备和嵌入式系统中使用。
支持双通道架构，每个通道的位宽为x16，进一步提升了内存带宽和系统性能。
此外，H9TKNNN8JDAPLR-NGHR 工作温度范围广泛，可在-40°C至+85°C环境下稳定运行，适用于各种工业和消费类应用场景。
内置先进的刷新机制和错误校正功能，确保数据的稳定性和可靠性。同时，该芯片具备良好的热管理能力，能够在高负载下保持稳定运行。
H9TKNNN8JDAPLR-NGHR 主要用于高性能移动设备，如旗舰级智能手机和平板电脑，作为主内存提供快速的数据处理能力。
在嵌入式系统中，该芯片可用于工业控制、自动化设备和智能终端，以满足对内存性能和功耗的双重需求。
该芯片也适用于需要高速缓存的网络设备、存储设备和边缘计算设备，提升系统响应速度和数据吞吐能力。
此外，它还可以用于汽车电子系统，如车载信息娱乐系统（IVI）、高级驾驶辅助系统（ADAS）等，提供稳定可靠的内存支持。
对于需要长时间运行和高可靠性的工业和通信设备，H9TKNNN8JDAPLR-NGHR 的宽温范围和低功耗特性使其成为理想选择。
H9TKNNN8JDDALR-NGHR
H9TKNNN8JDAPLR-NHGC
H9TKNNN8JDAPLR-NGHB
