时间：2025/9/3 18:52:19
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H9TKNNN6CDMPRR-NDM 是由SK Hynix（海力士）公司生产的一款高密度、高性能的DRAM（动态随机存取存储器）芯片。这款芯片属于移动LPDDR5 SDRAM（低功耗双倍数据速率第五代同步动态随机存取存储器）系列，专为移动设备和高性能计算应用设计，提供更高的带宽、更低的功耗和更强的可靠性。H9TKNNN6CDMPRR-NDM 通常用于智能手机、平板电脑、嵌入式系统和高性能计算设备中，以满足现代电子设备对内存容量和速度的不断增长需求。
存储类型: DRAM
内存规格: LPDDR5 SDRAM
容量: 12Gb（6GB x2通道）
封装类型: BGA
工作电压: 1.02V - 1.18V（核心电压VDD），1.1V - 1.3V（I/O电压VDDQ）
数据速率: 6400 Mbps
接口类型: 并行
时钟频率: 3200 MHz
封装尺寸: 9.5mm x 10.5mm
温度范围: 工业级（-40°C 至 +85°C）
H9TKNNN6CDMPRR-NDM 的主要特性之一是其支持LPDDR5标准，提供高达6400 Mbps的数据传输速率，这使得它在处理图形密集型应用、多任务处理和高分辨率视频播放时表现出色。该芯片的低功耗设计使其非常适合用于电池供电的便携式设备，有助于延长设备的电池寿命。此外，该芯片采用了双通道架构，进一步提高了数据吞吐量和内存访问效率。
该芯片还支持多种电源管理模式，包括深度自刷新模式和掉电模式，以帮助设备在不同工作状态下最大限度地节省功耗。其支持的命令总线训练（CBT）、写入均衡（Write leveling）和动态电压频率缩放（DVFS）等特性，有助于提高内存系统的稳定性和能效。
在可靠性方面，H9TKNNN6CDMPRR-NDM 采用了先进的制造工艺和封装技术，确保在高负载和高温环境下依然保持稳定的性能。同时，该芯片符合RoHS环保标准，适合现代电子设备对环保材料的要求。
H9TKNNN6CDMPRR-NDM 主要应用于需要高性能内存的移动设备和嵌入式系统，例如高端智能手机、平板电脑、可穿戴设备、AR/VR头显设备、车载信息娱乐系统以及高性能计算模块（HPC）。在这些应用中，该芯片能够提供快速的数据访问速度和较低的功耗，支持流畅的多任务处理、高分辨率图形渲染和高效能计算任务。
此外，该芯片也适用于需要高带宽内存的AI加速器和边缘计算设备，能够在人工智能推理、图像识别和实时数据分析等场景中提供强大的内存支持。由于其工业级温度范围，该芯片也适合在恶劣环境条件下运行的工业控制系统和通信设备中使用。
H9TKNNN6CDMPRR-NDM 的替代型号包括H9HKNNN8GBMPBR-NEC和H9HKNNN8GBMPBR-NEE等，这些型号同样属于SK Hynix的LPDDR5 SDRAM产品线，具有类似的性能参数和封装规格。
