时间：2025/9/2 5:01:21
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H9TKNNN4KDMRAR-NGMR 是由SK hynix公司生产的高性能低功耗DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于高带宽存储器（HBM2）系列。该芯片主要面向高性能计算、图形处理、人工智能以及数据中心应用，提供了显著提升的数据传输速率和能效。H9TKNNN4KDMRAR-NGMR的封装形式为堆叠式封装，使用TSV（Through Silicon Via，硅通孔）技术，使多个存储芯片堆叠在一起，从而大幅提高带宽并减小PCB空间占用。
容量：4GB
类型：HBM2（High Bandwidth Memory Generation 2）
数据速率：2.4Gbps、2.5Gbps、2.6Gbps、2.9Gbps等多种选项
电压：1.2V
封装形式：堆叠式BGA封装
接口：HBM2接口
工作温度范围：0°C 至 +95°C
TSV（Through Silicon Via）技术：支持多层堆叠
数据总线宽度：1024位
带宽：高达307GB/s
H9TKNNN4KDMRAR-NGMR 是一款先进的高带宽内存芯片，其核心特性包括极高的数据传输速率和能效。采用HBM2技术，该芯片能够在极小的物理空间内提供极宽的数据总线（1024位），从而实现超过300GB/s的带宽。这种高带宽特性使其非常适合用于GPU、AI加速器、网络交换设备以及高性能计算系统。
该芯片采用了TSV（硅通孔）技术，使多个存储层垂直堆叠在一起，减少PCB空间并提升信号完整性。同时，该技术也降低了功耗，提高了整体能效，使其在高负载应用中依然保持良好的热管理。
H9TKNNN4KDMRAR-NGMR 支持多种数据速率选项，包括2.4Gbps、2.5Gbps、2.6Gbps和2.9Gbps，用户可以根据系统需求进行灵活配置。此外，其工作电压为1.2V，进一步降低了功耗，提高了能效比。
该芯片具有较高的工作温度容忍度，支持0°C至+95°C的工作环境，适合各种严苛应用场景。其BGA封装设计确保了高可靠性和良好的电气性能，适用于工业级和企业级系统。
H9TKNNN4KDMRAR-NGMR 主要应用于需要极高内存带宽的高性能计算系统，例如GPU（图形处理单元）、AI加速器（如TPU）、深度学习训练与推理设备、高性能服务器、数据中心交换设备以及高端FPGA系统。该芯片的高带宽特性使其在处理大规模并行数据任务时表现出色，特别适用于图形渲染、科学计算、大数据分析以及实时AI推理等场景。
H9TNNN8S2MLR-NGML、H5ANM8N24A1B-XNX、H9TNNN8S2MLR-NGML、H9HMNN87PMMLR-NVBL
