制造商：SK Hynix
　　产品类型：DRAM（动态随机存取存储器）
　　系列：HBM（High Bandwidth Memory）
　　容量：4GB（Gigabytes）
　　位宽：1024位（x1024）
　　封装类型：BGA（Ball Grid Array）
　　接口类型：HBM2
　　工作电压：1.25V
　　最大时钟频率：2000MHz
　　数据速率：2.0 Gbps（Gigabits per second）
　　堆叠层数：8层
　　封装尺寸：约7.5mm x 7.5mm
　　工作温度范围：-40°C至+85°C
　　RoHS标准：符合无铅环保标准

H9TKNNN4KDMRAR-NDM作为HBM2标准的DRAM芯片，具有多项突出的技术特性。首先，它采用3D堆叠封装技术，通过硅通孔（TSV）将8个DRAM裸片垂直互联，极大地提升了内存带宽，同时缩小了占用空间，适用于高密度设计的设备。该芯片的总数据速率达到2.0 Gbps，支持高达4GB的容量，为需要大量数据吞吐的应用提供了强有力的支撑。其1024位的宽位宽设计，使其在相同频率下比传统GDDR5或DDR4内存具有更高的带宽表现。此外，H9TKNNN4KDMRAR-NDM的工作电压为1.25V，具备较低的功耗特性，适合对能效要求较高的系统应用。该芯片还具备宽温工作范围（-40°C至+85°C），确保在各种复杂环境下的稳定运行。封装方面采用BGA（球栅阵列）形式，增强了信号完整性和散热性能。该芯片符合RoHS标准，具备环保无铅特性，适用于现代绿色电子产品设计。

H9TKNNN4KDMRAR-NDM因其高带宽、低功耗和紧凑封装的优势，广泛应用于高性能计算（HPC）、图形处理器（GPU）、人工智能（AI）加速器、深度学习训练和推理设备、高端游戏显卡、数据中心服务器、网络交换设备、图像处理系统以及嵌入式视觉计算平台等对内存性能有极致要求的领域。例如，NVIDIA的高端GPU、AMD的Radeon Instinct加速卡、以及部分FPGA加速卡均采用HBM2内存技术，以实现超高的内存带宽和计算性能。

H9TKNNN4KDMUAR-NDM，H9TKNNN4KGMUAR-NDM，H5ANM8MJ46C064C，HBM2-4GB-2Gbps