时间：2025/9/2 3:12:32
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H9TKNNN4KDMPYR-NDM是一款由SK Hynix公司生产的高密度、高性能的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于其高带宽内存（HBM, High Bandwidth Memory）产品线的一部分。这款存储器专为高性能计算（HPC）、图形处理、人工智能（AI）和数据中心应用设计，旨在提供极高的数据传输速率和能效。H9TKNNN4KDMPYR-NDM的封装形式为堆叠式3D封装，采用TSV（Through-Silicon Via，硅通孔）技术，使得多个DRAM芯片能够垂直堆叠连接，从而显著提高带宽并减少功耗。该芯片广泛用于GPU、FPGA、AI加速器以及高端计算系统中，以满足日益增长的数据密集型任务对内存带宽的需求。
制造商：SK Hynix
类型：DRAM（HBM2）
容量：4GB
数据速率：2.4Gbps
电压：1.3V
封装：3D堆叠封装，TSV技术
接口：HBM2接口
带宽：约307GB/s
工作温度：0°C至+85°C
尺寸：根据HBM2标准设计
H9TKNNN4KDMPYR-NDM的最大特点在于其高带宽和低功耗设计，使其成为高性能计算领域的理想选择。该芯片采用先进的3D TSV技术，将多个DRAM芯片堆叠在一起，极大缩短了信号路径长度，提高了数据传输效率。其带宽可达307GB/s以上，远超传统GDDR5或DDR4内存，能够满足AI训练、科学计算和图形渲染等应用对高速内存的苛刻要求。
此外，H9TKNNN4KDMPYR-NDM的工作电压为1.3V，相比早期的HBM产品，能效更高，适合数据中心等对功耗敏感的场景。其紧凑的封装结构也有助于节省PCB空间，提高系统集成度。由于采用了堆叠封装技术，它与处理器或GPU的连接是通过一个中介层（interposer）实现的，这种方式不仅提升了带宽，还降低了延迟，增强了系统的整体性能。
该芯片还具备良好的散热设计，支持高密度系统中的稳定运行。其工作温度范围为0°C至+85°C，适用于大多数工业和企业级应用场景。
H9TKNNN4KDMPYR-NDM主要应用于需要极高内存带宽的系统，如高端GPU、AI加速器、FPGA、高性能计算（HPC）设备以及下一代数据中心服务器。它特别适合用于深度学习训练、科学模拟、图形渲染、虚拟现实（VR）和增强现实（AR）等场景。此外，该芯片也可用于网络设备、高端嵌入式系统和工业自动化设备中，以提升整体数据处理能力。
H9TKNNN8KDMPYR-NDM, H5AN8G8NDFR-XNC, H9HRSNNCJTMRPR-NEC
