H9TKNNN4KDMPYR-NDM是一款由SK Hynix公司生产的高密度、高性能的DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于其高带宽内存(HBM, High Bandwidth Memory)产品线的一部分。这款存储器专为高性能计算(HPC)、图形处理、人工智能(AI)和数据中心应用设计,旨在提供极高的数据传输速率和能效。H9TKNNN4KDMPYR-NDM的封装形式为堆叠式3D封装,采用TSV(Through-Silicon Via,硅通孔)技术,使得多个DRAM芯片能够垂直堆叠连接,从而显著提高带宽并减少功耗。该芯片广泛用于GPU、FPGA、AI加速器以及高端计算系统中,以满足日益增长的数据密集型任务对内存带宽的需求。
制造商:SK Hynix
类型:DRAM(HBM2)
容量:4GB
数据速率:2.4Gbps
电压:1.3V
封装:3D堆叠封装,TSV技术
接口:HBM2接口
带宽:约307GB/s
工作温度:0°C至+85°C
尺寸:根据HBM2标准设计
H9TKNNN4KDMPYR-NDM的最大特点在于其高带宽和低功耗设计,使其成为高性能计算领域的理想选择。该芯片采用先进的3D TSV技术,将多个DRAM芯片堆叠在一起,极大缩短了信号路径长度,提高了数据传输效率。其带宽可达307GB/s以上,远超传统GDDR5或DDR4内存,能够满足AI训练、科学计算和图形渲染等应用对高速内存的苛刻要求。
此外,H9TKNNN4KDMPYR-NDM的工作电压为1.3V,相比早期的HBM产品,能效更高,适合数据中心等对功耗敏感的场景。其紧凑的封装结构也有助于节省PCB空间,提高系统集成度。由于采用了堆叠封装技术,它与处理器或GPU的连接是通过一个中介层(interposer)实现的,这种方式不仅提升了带宽,还降低了延迟,增强了系统的整体性能。
该芯片还具备良好的散热设计,支持高密度系统中的稳定运行。其工作温度范围为0°C至+85°C,适用于大多数工业和企业级应用场景。
H9TKNNN4KDMPYR-NDM主要应用于需要极高内存带宽的系统,如高端GPU、AI加速器、FPGA、高性能计算(HPC)设备以及下一代数据中心服务器。它特别适合用于深度学习训练、科学模拟、图形渲染、虚拟现实(VR)和增强现实(AR)等场景。此外,该芯片也可用于网络设备、高端嵌入式系统和工业自动化设备中,以提升整体数据处理能力。
H9TKNNN8KDMPYR-NDM, H5AN8G8NDFR-XNC, H9HRSNNCJTMRPR-NEC