时间：2025/9/1 19:48:19
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H9TKNNN4KDAPRR-NDM 是由SK海力士（SK Hynix）推出的一款高密度、高性能的DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该芯片属于高带宽存储器（HBM, High Bandwidth Memory）系列，广泛应用于需要极高数据吞吐能力的高性能计算（HPC）、图形处理（GPU）、人工智能（AI）和网络设备等领域。H9TKNNN4KDAPRR-NDM 采用了先进的堆叠式封装技术，将多个DRAM芯片垂直堆叠在一起，通过硅通孔（TSV, Through Silicon Via）实现高速互联，从而显著提升了带宽并减少了芯片体积。
容量：4GB（4 Gigabytes）
类型：HBM2（High Bandwidth Memory 2）
接口：HBM2接口
数据速率：2.4Gbps（Gigabits per second）
电压：1.3V
封装形式：FCBGA（Flip Chip Ball Grid Array）
堆叠层数：8层堆叠DRAM芯片
带宽：约307GB/s（Gigabytes per second）
封装尺寸：根据HBM2标准设计，通常为约7.5mm x 7.5mm
H9TKNNN4KDAPRR-NDM 是一款高性能的HBM2存储器芯片，具备多个显著的技术优势和特点。首先，它采用了高带宽存储器（HBM2）架构，通过将多个DRAM芯片垂直堆叠，并利用硅通孔（TSV）技术实现芯片间的高速互连，从而实现了远高于传统GDDR5或DDR4内存的带宽。其理论带宽可达到约307GB/s，这对于需要大量数据处理能力的应用（如AI训练、图形渲染和高性能计算）至关重要。
其次，该芯片采用了低功耗设计，工作电压为1.3V，能够在提供高带宽的同时保持较低的功耗，适用于对能效有严格要求的设备。此外，H9TKNNN4KDAPRR-NDM 的封装尺寸非常紧凑，约为7.5mm x 7.5mm，适合用于空间受限的高端显卡、AI加速卡和网络交换设备。
该芯片还具备良好的热管理性能，由于堆叠结构的设计，热量分布更为均匀，有利于提高整体系统的稳定性和可靠性。此外，HBM2标准支持更高的容量扩展能力，H9TKNNN4KDAPRR-NDM 提供了4GB的单颗容量，满足了对大容量内存需求的应用场景。
在数据传输方面，H9TKNNN4KDAPRR-NDM 支持双向数据传输，每个引脚在时钟的上升沿和下降沿都能传输数据，从而进一步提高了数据传输效率。这种特性使得该芯片非常适合用于需要高并发数据处理能力的应用，例如深度学习、科学计算和实时图形渲染等。
H9TKNNN4KDAPRR-NDM 主要应用于对内存带宽和容量要求极高的高性能计算系统。其主要应用场景包括但不限于：高性能GPU（如NVIDIA Tesla、AMD Radeon Instinct等AI加速卡）、深度学习和人工智能训练平台、高端游戏显卡、数据中心加速卡、网络交换设备以及需要大规模数据处理能力的科学计算设备。由于其紧凑的封装尺寸和高带宽特性，该芯片也广泛用于嵌入式系统和移动高性能计算设备中。
H9TKNNN4KDAPRR-NDA
