时间：2025/9/2 2:19:13
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H9TKNNN4GDMRHR-NGMR是由SK Hynix生产的一款高性能低功耗（LPDDR4）移动式双倍数据速率存储芯片。该芯片广泛应用于智能手机、平板电脑及其他移动设备中，提供快速的数据访问速度和大容量存储能力。这款内存芯片采用先进的封装技术，确保在有限的空间内实现高密度的存储解决方案。
制造商: SK Hynix
产品类型: 存储器 - DRAM
内存类型: LPDDR4
容量: 4GB（具体容量可能因具体型号而异）
数据速率: 4266Mbps（具体速率可能因具体型号而异）
封装类型: BGA
封装尺寸: 130-ball
工作温度: -40°C 至 85°C
电源电压: 1.1V（核心电压VDD），2.5V或1.8V（I/O电压VDDQ）
接口: 移动版DDR接口
内存总线宽度: x16
时钟频率: 1600MHz
H9TKNNN4GDMRHR-NGMR具有多项先进特性，包括低功耗设计、高数据传输速率以及高集成度。其低功耗特性使其非常适合用于电池供电设备，有助于延长设备的续航时间。该芯片支持多种节能模式，例如深度掉电模式和自刷新模式，以进一步降低功耗。
此外，H9TKNNN4GDMRHR-NGMR采用了先进的内存架构，提供高带宽和快速响应能力，适用于需要高性能内存的移动设备和嵌入式系统。该芯片还支持错误纠正码（ECC）功能，有助于提高数据完整性和系统稳定性。
该芯片的封装设计优化了空间利用率，使其能够适应紧凑型设备的设计需求。同时，其BGA封装提供了良好的电气性能和热管理能力，确保在高负载工作条件下的稳定运行。
H9TKNNN4GDMRHR-NGMR广泛应用于各种高端移动设备，如旗舰智能手机、平板电脑、便携式游戏设备以及高性能嵌入式系统。其高带宽和低功耗特性也使其适用于需要高效能内存支持的AR/VR设备、无人机、智能相机等新型电子产品。此外，该芯片也可用于工业控制、车载信息娱乐系统及网络通信设备中，提供稳定可靠的数据存储与处理能力。
H9TSNNN8GDMUAR-NGML, H9TQNNN8GDMUAR-NGMR, H9TQNNN4GDMVAR-NGMR
