时间：2025/9/2 12:48:11
阅读：33
H9TKNNN4GDMRHR-NGM 是一款由SK Hynix（海力士）制造的高密度、高性能的DRAM（动态随机存取存储器）芯片。这款DRAM芯片的容量为4GB，采用BGA（球栅阵列）封装形式，适用于需要大容量内存和高速数据处理的应用场景。该芯片支持LPDDR4（低功耗双倍数据速率第四代）标准，广泛应用于现代高端移动设备、嵌入式系统和消费电子产品。
容量：4GB
类型：DRAM
封装：BGA
标准：LPDDR4
工作电压：1.1V
数据速率：3200Mbps
位宽：x16
工作温度：-40°C至85°C
H9TKNNN4GDMRHR-NGM 是一款基于LPDDR4技术的DRAM芯片，具有低功耗和高性能的特点。其3200Mbps的数据速率使得该芯片能够快速传输大量数据，满足高性能计算需求。此外，该芯片的工作电压为1.1V，相比上一代LPDDR3芯片，功耗更低，有助于延长设备的电池寿命。
这款DRAM芯片采用了x16的位宽设计，提供了更高的带宽效率，适合用于多任务处理和图形密集型应用。其BGA封装形式不仅有助于提高芯片的稳定性和可靠性，还便于在紧凑的电路板上进行安装和布局。
另外，H9TKNNN4GDMRHR-NGM 的工作温度范围为-40°C至85°C，使其能够在各种环境条件下稳定运行，适用于工业级和消费级设备。这款芯片的高可靠性和广泛适用性使其成为现代高性能设备的理想选择。
H9TKNNN4GDMRHR-NGM 主要应用于需要高性能和低功耗内存的设备，如智能手机、平板电脑、嵌入式系统和高端移动计算设备。由于其高速数据传输能力和低功耗设计，该芯片也适用于需要高效能内存的消费类电子产品和工业设备。
H9TCNNN4GAMVAR-KGM, H9TPNNL8GDACUR-KEM
