时间：2025/9/2 8:31:39
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H9TCNNN8JDMMPR-NGM 是由SK Hynix（海力士）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该芯片属于低功耗DDR4（LPDDR4）系列，主要用于移动设备、嵌入式系统以及需要高性能内存支持的应用场景。这款DRAM芯片采用了先进的制造工艺，具有较高的存储密度和较低的功耗特性，适用于现代智能设备对内存性能和能效的严格要求。H9TCNNN8JDMMPR-NGM的封装形式为FBGA，适合高密度电路板设计。
类型：DRAM
子类型：LPDDR4 SDRAM
容量：8GB（Gigabytes）
封装：FBGA
制造厂商：SK Hynix
电压：1.1V
数据速率：4266Mbps
时钟频率：2133MHz
位宽：16位
温度范围：0°C 至 85°C
H9TCNNN8JDMMPR-NGM 作为 LPDDR4 系列的 DRAM 芯片，具备多项先进的性能特点。首先，其工作电压为 1.1V，相比前代 LPDDR3 的 1.5V 和 1.35V 显著降低，从而减少了整体功耗，延长了设备的电池续航时间。其次，该芯片支持高达 4266Mbps 的数据传输速率，对应的时钟频率为 2133MHz，使得数据处理能力更强，适合高性能计算场景，如高端智能手机、平板电脑和嵌入式视觉处理系统。
该芯片的存储容量为 8GB，能够满足现代应用对大内存的需求，尤其是在运行大型应用程序、多任务处理和图形密集型任务时表现出色。此外，其 FBGA（Fine Pitch Ball Grid Array）封装技术提供了更小的封装尺寸和更高的封装密度，有助于实现设备的小型化设计，并增强电气性能和热管理能力。
在工作温度方面，H9TCNNN8JDMMPR-NGM 支持 0°C 至 85°C 的宽温范围，适应多种工作环境，包括高温运行条件下的移动设备和工业应用。其 16 位的数据位宽设计也确保了数据访问的高效性，减少了数据传输延迟。
H9TCNNN8JDMMPR-NGM 主要应用于需要高性能、低功耗内存的移动设备和嵌入式系统。例如，该芯片广泛用于高端智能手机和平板电脑，为多任务处理、高清视频播放和图形密集型游戏提供强大的内存支持。此外，它也可用于车载信息娱乐系统、工业控制设备、网络通信设备以及人工智能边缘计算设备等对内存性能有较高要求的领域。
由于其高带宽和低功耗的特性，该芯片非常适合用于需要实时数据处理的场景，例如高清视频流处理、图像识别、深度学习推理加速等。在移动设备中，H9TCNNN8JDMMPR-NGM 的使用有助于提高设备的响应速度和整体系统性能，同时减少电池消耗，提升用户体验。
H9HCNNN8GAMMQR-NGM, H9HKNNN8JDMUFR-NEC
