时间：2025/9/2 0:23:16
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H9TCNNN4KDBMUR-NGM 是由SK Hynix（海力士）公司生产的一款高带宽内存颗粒，属于GDDR6（Graphics Double Data Rate 6）类型的显存芯片。这款内存芯片广泛应用于高性能显卡、AI加速卡和图形处理设备中，提供高速数据传输能力，以满足现代图形处理与计算密集型应用的需求。该芯片的封装形式为BGA（Ball Grid Array），具有良好的电气性能和散热特性。H9TCNNN4KDBMUR-NGM的命名中包含了其关键参数信息，例如容量、频率、电压等。
类型：GDDR6
容量：4GBit（512MB）
数据速率：14Gbps
电压：1.35V（VDD）/ 1.5V（VDDQ）
封装形式：BGA
封装尺寸：8x8mm
接口：X16
工作温度范围：-40°C 至 +95°C
H9TCNNN4KDBMUR-NGM 是一款专为高带宽图形处理设计的GDDR6内存颗粒。与前代GDDR5相比，GDDR6提供了更高的数据传输速率和更低的功耗，同时支持更高的容量密度。这款芯片的数据速率可达14Gbps，显著提升了显卡或AI加速器的内存带宽，从而提高了整体图形渲染和计算性能。
GDDR6内存技术采用了双通道架构（Dual Channel Architecture），每个内存颗粒内部由两个独立的通道组成，分别处理数据的输入和输出，进一步提升了数据吞吐能力。此外，H9TCNNN4KDBMUR-NGM 还支持伪开漏（Pseudo Open Drain, POD）接口技术，降低了信号功耗并提高了信号完整性。
该芯片还具备良好的热管理能力，能够在高温环境下稳定运行，适用于高性能GPU和AI芯片配套使用。其8x8mm的小尺寸BGA封装形式也使其在高密度PCB设计中更加灵活。
H9TCNNN4KDBMUR-NGM 主要用于高端图形显卡、AI加速卡、游戏主机、数据中心GPU模块以及高性能计算设备中。其高带宽特性使其特别适用于需要大量数据并行处理的应用场景，如深度学习训练、图形渲染、视频编码解码、虚拟现实（VR）和增强现实（AR）等。
H9TNNNN8KDMUR-NGM, H9TQNNN8KDBMUR-NGM, H9TMNNN4KGACUR-NGM
