时间：2025/9/1 18:38:09
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H9TCNNN4GDALJR-NGM 是一款由SK Hynix（海力士）公司生产的高密度、低功耗、高性能的DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该芯片属于移动型LPDDR4（Low Power Double Data Rate 4）系列，专为移动设备、嵌入式系统以及高性能计算设备设计。其主要特点包括低电压运行、高速数据传输率以及较小的封装尺寸，适合用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑和其他对功耗敏感的便携式电子设备。
类型：DRAM
子类：LPDDR4 SDRAM
容量：4GB
数据速率：3200Mbps
电压：1.1V（核心电压VDD）
电压：1.8V（I/O电压VDDQ）
封装类型：FBGA
封装尺寸：具体尺寸需参考数据手册
工作温度范围：-40°C至85°C
封装引脚数：具体数目需参考数据手册
时钟频率：1600MHz
数据宽度：x16
制造厂商：SK Hynix
H9TCNNN4GDALJR-NGM 芯片采用了先进的DRAM制造工艺，具备出色的低功耗特性，适合用于电池供电设备。其LPDDR4接口标准支持双倍数据速率传输，可在每个时钟周期的上升沿和下降沿同时传输数据，从而显著提高数据带宽。此外，该芯片支持多种低功耗模式，包括深度掉电模式、自刷新模式和预充电掉电模式，有助于在不使用时降低功耗并延长电池寿命。其内部结构采用多体（multi-bank）架构，支持高效的并行操作，提高整体系统性能。另外，该芯片具备良好的热稳定性和电气稳定性，能够在高负载工作环境下保持可靠运行。在封装方面，采用紧凑的FBGA封装形式，有助于节省PCB空间，适应现代电子产品对小型化设计的需求。
H9TCNNN4GDALJR-NGM 主要应用于对性能和功耗有较高要求的移动和嵌入式设备。典型应用场景包括智能手机、平板电脑、超薄笔记本电脑（Ultrabook）、嵌入式系统（如车载信息娱乐系统、工业控制设备）、便携式医疗设备以及物联网（IoT）设备。由于其高带宽和低功耗的特点，该芯片也非常适合用于图形处理、多媒体应用、实时数据处理和多任务操作系统等高性能需求的场合。
H9TPNNL8GDACUR-NGM, H9TNNN88GMMZJS-NGM
