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H9TA4GH4GDMCPR-4GM 发布时间 时间:2025/9/1 14:51:13 查看 阅读:13

H9TA4GH4GDMCPR-4GM是一种高密度、高性能的DRAM(动态随机存取存储器)芯片,由SK Hynix(现为SK hynix)制造。这款存储器芯片采用了先进的制造工艺和封装技术,适用于需要大容量内存和高速数据处理的设备。其主要特点是高容量、低功耗以及支持高带宽的数据传输。

参数

容量:4GB
  封装类型:FBGA
  接口类型:DDR4 SDRAM
  时钟频率:2400MHz
  电压:1.2V
  数据总线宽度:x16
  工作温度范围:-40°C至85°C

特性

H9TA4GH4GDMCPR-4GM是一款基于DDR4技术的DRAM芯片,具备出色的性能和稳定性。其高容量为4GB,适用于各种需要大容量内存的应用场景。芯片采用低电压设计(1.2V),降低了功耗并减少了热量产生,从而提高了系统的能效。此外,其支持2400MHz的时钟频率,确保了高速的数据传输能力,适用于高性能计算、服务器和高端消费电子产品。
  该芯片还具备良好的热稳定性和抗干扰能力,能够在广泛的工作温度范围内保持稳定运行,从-40°C到85°C,适合工业级和嵌入式应用。FBGA封装技术不仅节省了空间,还提高了信号完整性和电气性能。

应用

H9TA4GH4GDMCPR-4GM广泛应用于高性能计算设备、服务器、网络设备以及高端消费电子产品中。例如,它可用于提升PC、笔记本电脑、游戏主机和图形工作站的内存性能。此外,该芯片也适用于需要高带宽和低功耗的嵌入式系统,如工业控制、医疗设备和通信基础设施。

替代型号

H9TC4GH6JDMCPR-4DM

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