时间：2025/9/1 14:51:13
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H9TA4GH4GDMCPR-4GM是一种高密度、高性能的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，由SK Hynix（现为SK hynix）制造。这款存储器芯片采用了先进的制造工艺和封装技术，适用于需要大容量内存和高速数据处理的设备。其主要特点是高容量、低功耗以及支持高带宽的数据传输。
容量：4GB
封装类型：FBGA
接口类型：DDR4 SDRAM
时钟频率：2400MHz
电压：1.2V
数据总线宽度：x16
工作温度范围：-40°C至85°C
H9TA4GH4GDMCPR-4GM是一款基于DDR4技术的DRAM芯片，具备出色的性能和稳定性。其高容量为4GB，适用于各种需要大容量内存的应用场景。芯片采用低电压设计（1.2V），降低了功耗并减少了热量产生，从而提高了系统的能效。此外，其支持2400MHz的时钟频率，确保了高速的数据传输能力，适用于高性能计算、服务器和高端消费电子产品。
该芯片还具备良好的热稳定性和抗干扰能力，能够在广泛的工作温度范围内保持稳定运行，从-40°C到85°C，适合工业级和嵌入式应用。FBGA封装技术不仅节省了空间，还提高了信号完整性和电气性能。
H9TA4GH4GDMCPR-4GM广泛应用于高性能计算设备、服务器、网络设备以及高端消费电子产品中。例如，它可用于提升PC、笔记本电脑、游戏主机和图形工作站的内存性能。此外，该芯片也适用于需要高带宽和低功耗的嵌入式系统，如工业控制、医疗设备和通信基础设施。
H9TC4GH6JDMCPR-4DM
