容量：4GB（Gigabyte）
　　类型：LPDDR4 SDRAM（Low Power Double Data Rate 4 Synchronous Dynamic Random Access Memory）
　　封装类型：BGA（Ball Grid Array）
　　数据速率：最高可达4266 Mbps（Megabits per second）
　　工作电压：1.1V（标称值）
　　数据宽度：16位（x16）
　　时钟频率：2133 MHz
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装尺寸：具体尺寸取决于封装类型（BGA）
　　接口标准：JEDEC标准LPDDR4接口
　　组织结构：1个逻辑Bank组（x16配置）

H9TA4GH2GDMCPR_4GM 的主要特性之一是其低功耗设计，使其非常适合用于移动设备和嵌入式系统。LPDDR4标准相比前代LPDDR3，在电压和功耗方面都有显著降低，工作电压仅为1.1V，从而有效延长了电池续航时间。此外，该芯片支持高数据速率，最大可达4266 Mbps，提供高达2133 MHz的时钟频率，能够满足高性能计算和图形处理的需求。在带宽方面，LPDDR4的双数据率架构使其在每个时钟周期内传输两次数据（上升沿和下降沿），从而显著提高了数据传输效率。此外，H9TA4GH2GDMCPR_4GM 采用了差分时钟和数据选通技术，增强了信号完整性并降低了时钟抖动的影响。该芯片还支持多种低功耗模式，包括深度掉电模式（Deep Power Down）、自刷新模式（Self-Refresh Mode）和预充电电源下降模式（Precharge Power-Down Mode），以进一步优化功耗。此外，它还支持温度补偿自刷新（Temperature Compensated Self-Refresh, TCSR）功能，能够根据温度变化调整刷新率，从而在保证数据完整性的同时减少功耗。H9TA4GH2GDMCPR_4GM 采用小型BGA封装，适用于空间受限的应用场景，同时具有良好的热管理和电气性能，适合高密度PCB布局。该芯片符合JEDEC标准，确保了与主流SoC（System on Chip）平台的兼容性，适用于各种高端移动设备和嵌入式系统。

H9TA4GH2GDMCPR_4GM 主要应用于需要高性能和低功耗的移动设备和嵌入式系统中。该芯片广泛用于高端智能手机和平板电脑，作为主内存（RAM）用于运行操作系统、应用程序和图形处理。由于其高带宽和低延迟特性，它也适用于需要高性能内存的可穿戴设备、AR/VR头显设备以及嵌入式AI加速器。此外，该芯片可用于工业控制设备、智能摄像头、车载信息娱乐系统（IVI）以及物联网（IoT）设备，以提供高效的内存支持。在图像处理和视频流应用中，H9TA4GH2GDMCPR_4GM 能够提供足够的带宽来支持高清视频解码和实时图像处理。由于其支持多种低功耗模式，因此也非常适合需要长时间电池续航的便携式设备。同时，该芯片的BGA封装形式适用于自动化SMT（表面贴装技术）生产流程，便于大规模制造和应用。

H9HC4GH2GDMCPR_4GM; H9HP4GH2GDMCPR_4GM; H9HQ4GH2GDMCPR_4GM