H9TA4GG2GDMCPR-4GM是一种高密度、高性能的DRAM(动态随机存取存储器)芯片,由SK Hynix(现为SK hynix)制造。该型号属于LPDDR4(低功耗双倍数据速率第4代)系列,专为需要高带宽和低功耗的应用而设计,例如智能手机、平板电脑、嵌入式系统等。该DRAM芯片采用BGA(球栅阵列)封装,具有较小的封装尺寸和较高的集成度,适用于空间受限的便携式设备。
容量:4GB(Gigabit)
类型:LPDDR4 SDRAM
数据速率:3200 Mbps(兆位每秒)
电压:1.1V(工作电压)
封装类型:BGA(球栅阵列)
封装尺寸:根据具体型号可能为9mm x 11mm 或 12mm x 14mm
接口:JEDEC标准接口
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
H9TA4GG2GDMCPR-4GM LPDDR4 DRAM芯片采用了先进的制造工艺,提供高速数据传输和低功耗运行的特性。其主要特性包括:
1. 高性能:支持高达3200Mbps的数据传输速率,提供更高的带宽,从而提升系统性能和响应速度。
2. 低功耗设计:与上一代LPDDR3相比,LPDDR4的电压从1.2V降低到1.1V,显著减少了功耗,延长了设备的电池寿命。
3. 高密度:4GB的容量满足现代设备对大容量内存的需求,尤其是在图形处理、多任务处理和大型应用程序运行时表现优异。
4. 小型封装:采用紧凑的BGA封装,适用于移动设备和嵌入式系统等空间受限的应用场景。
5. 可靠性:支持宽温度范围(-40°C 至 +85°C),确保在各种环境条件下稳定运行。
6. JEDEC标准兼容:该芯片符合JEDEC标准,确保与其他符合标准的控制器和系统的兼容性,便于设计和集成。
H9TA4GG2GDMCPR-4GM LPDDR4 DRAM芯片广泛应用于高性能移动设备和嵌入式系统中,具体应用包括:
1. 智能手机和平板电脑:作为主内存,为多任务处理、高清图形渲染和大型应用程序提供高速数据访问。
2. 高性能计算设备:用于需要大内存带宽的计算密集型任务,如人工智能、机器学习和图像处理。
3. 汽车电子系统:在车载信息娱乐系统(IVI)和高级驾驶辅助系统(ADAS)中提供可靠的内存支持。
4. 工业自动化设备:在工业控制系统和数据采集设备中提供高速数据处理能力。
5. 物联网(IoT)设备:在需要低功耗和高性能的物联网设备中,作为主存储器使用。
H9HC4GH6JACUFR-4GM
H9HK4GG2GAMUBR-4GM
H9HA4GH2GAMUBR-4GM