容量：2GB
　　类型：LPDDR4X SDRAM
　　封装类型：BGA
　　数据速率：4266 Mbps（具体速率可能因配置不同而有所变化）
　　工作电压：1.1V（核心电压VDD）和0.5V（I/O电压VDDQ）
　　数据宽度：16位
　　时钟频率：2133MHz
　　温度范围：-40°C至85°C（工业级温度范围）
　　封装尺寸：根据具体型号版本可能为9mm x 11mm或类似

H9TA2GG1GDMCPR属于SK海力士推出的LPDDR4X系列DRAM芯片，具有多项先进的性能和设计特点。首先，它采用了先进的DRAM制造工艺，使其在保持较小封装尺寸的同时实现较高的内存密度，适合集成在空间受限的便携设备中。
　　其次，该芯片支持LPDDR4X接口标准，相较于前代LPDDR4，其I/O电压从0.6V进一步降低至0.5V，从而显著降低了功耗，提升了能效。这一特性对于延长电池供电设备的续航时间至关重要。
　　此外，H9TA2GG1GDMCPR的数据传输速率达到4266 Mbps，能够满足高性能计算任务的需求，例如高分辨率视频播放、大型应用程序运行以及多任务处理。其同步双数据速率（DDR）技术允许在时钟信号的上升沿和下降沿同时传输数据，提高数据吞吐量。
　　该芯片还支持多种低功耗模式，包括深度掉电模式（Deep Power Down Mode）和自刷新模式（Self-Refresh Mode），在设备处于待机或低功耗状态下进一步节省电能。
　　为了适应不同的工作环境，H9TA2GG1GDMCPR具备宽温工作范围（-40°C至85°C），适用于工业级和消费级应用场景。其封装形式为BGA（球栅阵列封装），不仅提高了封装密度，还增强了电气性能和热管理能力，确保在高频率下稳定运行。

H9TA2GG1GDMCPR广泛应用于各类高性能、低功耗的移动和嵌入式设备中。主要应用包括：高端智能手机和平板电脑，作为主内存（RAM）用于运行操作系统和应用程序；车载信息娱乐系统（IVI）和高级驾驶辅助系统（ADAS），提供快速数据处理能力；可穿戴设备和物联网（IoT）设备，得益于其低功耗和小尺寸特性；高性能工业控制设备、嵌入式系统以及便携式医疗设备等需要稳定和高效内存解决方案的场合。

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