H9TA2GG1GDACPR-4DM 是由SK Hynix(海力士)生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于其高密度、高性能存储器产品系列。该芯片采用先进的制造工艺和封装技术,广泛用于需要高速数据处理的电子设备中。
容量:2Gb(256MB)
组织结构:x16
工作电压:1.8V
接口类型:并行接口
时钟频率:166MHz
封装类型:TSOP(Thin Small Outline Package)
封装尺寸:54-ball TSOP
工作温度范围:0°C 至 70°C
存储温度范围:-55°C 至 125°C
H9TA2GG1GDACPR-4DM 具备高性能和低功耗的特性,适用于各种高要求的电子设备。其主要特性包括:
? 高容量和高速处理能力:这款DRAM芯片提供2Gb(256MB)的存储容量,并支持166MHz的时钟频率,使其能够在高速数据处理应用中表现出色。
? 低电压设计:该芯片工作电压为1.8V,有助于降低功耗,提高能效,适用于对功耗敏感的应用场景。
? 高可靠性:H9TA2GG1GDACPR-4DM 采用先进的封装技术和高质量的制造工艺,确保了其在各种工作环境下的稳定性和可靠性。
? 宽温度范围:芯片支持0°C 至 70°C的工作温度范围,同时能够在-55°C 至 125°C的存储温度下保持性能,适用于工业级和消费级应用。
? TSOP封装:采用TSOP封装形式,使芯片在PCB上的安装更加稳定,同时降低了电磁干扰(EMI)的影响,提高了信号完整性。
H9TA2GG1GDACPR-4DM 广泛应用于需要高性能存储的电子设备中,包括:
? 工业控制设备:用于PLC、嵌入式系统和工业计算机等需要高速缓存的设备。
? 网络设备:如路由器、交换机和网络存储设备,用于提升数据处理和缓存能力。
? 通信设备:包括基站、无线接入设备和通信模块,用于提供高速存储支持。
? 消费类电子产品:例如高清电视、机顶盒和游戏设备,用于提升系统运行速度和响应能力。
? 汽车电子系统:用于车载信息娱乐系统(IVI)、ADAS(高级驾驶辅助系统)等需要高可靠性的应用。
H9TA2GH2GDMCPR-4DM, H9TA2GH2GDACPR-4DM