H9N80是一款N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于需要高效率、高功率密度的电力电子设备中。这款MOSFET具有低导通电阻、高耐压能力以及良好的热稳定性,适用于开关电源、DC-DC转换器、马达控制器等应用场景。H9N80的封装形式通常是TO-220或类似的功率封装,以确保良好的散热性能。
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds):800V
最大栅源电压(Vgs):±30V
最大连续漏极电流(Id):9A
导通电阻(Rds(on)):典型值为0.85Ω(具体值可能因制造商而异)
功率耗散(Ptot):125W
工作温度范围:-55°C至+150°C
存储温度范围:-55°C至+150°C
H9N80 MOSFET具备多项优异的电气和热性能,适用于高功率应用。
首先,其高耐压能力(最大漏源电压800V)使其适用于高压电源转换系统,如AC-DC转换器和离线电源模块。该器件能够在高电压条件下保持稳定的导通和关断状态,减少开关损耗,提高整体系统效率。
其次,H9N80具有较低的导通电阻(Rds(on)),典型值为0.85Ω。这意味着在导通状态下,器件的功率损耗较低,从而减少发热,提高系统的可靠性和寿命。低导通电阻还使得MOSFET在高电流条件下依然能够保持良好的效率,适用于需要高电流输出的应用,如马达驱动和负载开关。
此外,H9N80的最大连续漏极电流为9A,支持中高功率的负载需求。该器件的高电流承载能力结合其良好的热管理特性,使其适用于需要频繁切换的高功率场景,例如开关电源(SMPS)和逆变器系统。
该MOSFET的栅极驱动电压范围宽,通常在±30V以内,使得其兼容多种驱动电路设计,包括常见的PWM控制器和微处理器输出。这一特性提高了设计的灵活性,便于工程师根据实际需求选择合适的驱动方案。
最后,H9N80采用了TO-220封装,具有良好的散热性能,能够在高温环境下稳定运行。这种封装形式也便于安装和散热片的连接,进一步提升器件的热管理能力。
H9N80广泛应用于多个电力电子领域,包括但不限于以下几种典型应用:
1. **开关电源(SMPS)**:作为主开关器件,用于AC-DC转换和DC-DC转换电路,实现高效率的能量转换。
2. **DC-DC转换器**:在升压(Boost)和降压(Buck)转换器中作为开关元件,适用于电源管理系统和车载电子设备。
3. **马达驱动**:用于控制直流马达或步进马达的启停和速度调节,适用于工业自动化设备和消费电子产品。
4. **电源负载开关**:在电源管理系统中用作负载开关,控制外部设备的供电状态,实现节能和保护功能。
5. **逆变器系统**:在逆变器中作为功率开关,将直流电源转换为交流输出,适用于太阳能逆变器和不间断电源(UPS)系统。
6. **电池管理系统**:用于电池充放电控制电路,确保电池组的安全运行和能量管理。
7. **LED照明驱动**:在高功率LED驱动电路中作为开关器件,提供稳定的电流控制和高能效转换。
K2837, IRF840, FQA9N80C, 2SK2837