容量：1GB
　　类型：DRAM（HBM）
　　频率：1.6 Gbps per pin
　　电压：1.8V
　　封装类型：FCBGA（Flip-Chip Ball Grid Array）
　　数据总线宽度：1024位
　　带宽：256 GB/s
　　封装尺寸：12mm x 12mm
　　工作温度范围：0°C至+85°C

H9LA1GG25LCMCR-46M 的核心特性包括其高带宽和低延迟的性能表现，这得益于其1024位的宽数据总线和高达1.6 Gbps per pin的数据传输速率。这种DRAM芯片采用先进的3D堆叠封装技术，将多个存储层垂直堆叠，从而在较小的封装尺寸（12mm x 12mm）内实现了高容量和极高的带宽。此外，其FCBGA封装形式提供了良好的电气性能和散热能力，适用于高密度、高性能的系统设计。该芯片还支持自动刷新、自刷新和温度补偿等标准DRAM功能，以确保数据的稳定性和可靠性。其工作电压为1.8V，能够在宽泛的温度范围内（0°C至+85°C）稳定运行，适用于各种苛刻的工业和服务器环境。
　　该芯片的另一个关键优势是其高能效比。由于其高带宽特性，系统可以在更短的时间内完成数据传输任务，从而减少功耗。同时，其低电压设计也有助于降低整体功耗，使其适用于对能效要求较高的应用，如AI加速器、GPU和高端服务器内存模块。

H9LA1GG25LCMCR-46M 主要用于需要极高内存带宽的应用场景，例如高性能计算（HPC）、人工智能（AI）和机器学习（ML）加速器、图形处理器（GPU）、数据中心服务器以及高端游戏显卡。由于其紧凑的封装尺寸和高带宽特性，它也适用于空间受限但需要高性能存储的嵌入式系统和工业设备。此外，该芯片还可用于需要快速数据处理和低延迟的网络设备和存储系统，如固态硬盘控制器和高速缓存加速器。

H9LP1G823ALMR-46M, H9LA1G25LAMCVR-46M, H5TC8G63AFR-PB46A