容量：1Gb（128MB）
　　封装类型：BGA
　　电压：1.8V / 3.3V
　　接口类型：ONFI 2.0
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　读取速度：最大支持50MB/s
　　写入速度：最大支持25MB/s

H9LA1GG25HAMBR-4EM 具备高密度存储能力，其1Gb的容量对于许多嵌入式系统来说已经足够支持程序存储和数据缓存的需求。该芯片采用ONFI 2.0标准接口，能够实现与主控芯片之间的高速数据传输，读取速度最高可达50MB/s，写入速度则为25MB/s，这样的速度表现对于中高端嵌入式设备而言具备良好的性能支持。
　　该芯片支持1.8V和3.3V双电压操作，具有较好的兼容性，可以适配不同电压系统的主控平台。同时，其工作温度范围宽，支持-40°C至+85°C的工业级温度范围，确保在各种恶劣环境下都能稳定运行。
　　在可靠性方面，H9LA1GG25HAMBR-4EM 支持ECC（错误校正码）功能，能够在读取过程中检测并纠正数据错误，从而提高数据存储的可靠性。此外，它还支持坏块管理（Bad Block Management），确保在芯片生命周期内能够自动跳过损坏的存储区块，延长使用寿命。
　　该NAND闪存芯片采用BGA封装，体积小巧，便于在空间受限的设备中使用。其封装尺寸和引脚定义符合行业标准，便于设计人员在PCB布局中进行布线和集成。

H9LA1GG25HAMBR-4EM 被广泛应用于多种嵌入式系统和消费类电子产品中，例如智能手机、平板电脑、数字相机、MP3播放器、智能穿戴设备以及车载导航系统等。在这些设备中，该芯片主要用于存储操作系统、应用程序、用户数据等关键信息。
　　由于其支持宽温工作范围，H9LA1GG25HAMBR-4EM 也非常适合用于工业控制设备、通信模块、POS终端以及安防监控设备等工业级应用场景。在这些设备中，稳定性和可靠性是关键考量因素，而该芯片的设计正好满足了这些需求。
　　此外，H9LA1GG25HAMBR-4EM 还可用于作为固件升级的存储介质，例如路由器、机顶盒、工业自动化控制器等设备中，用于保存系统固件并支持远程更新。这种应用方式可以有效降低系统维护成本，并提高设备的可升级性和可维护性。

H9LA1G825HAMBR-4EM, H9LA1G825GAMBR-4EM