容量：4Gb（512MB）
　　组织结构：x16
　　封装类型：FBGA
　　封装尺寸：55-ball
　　工作电压：1.35V（低电压版，通常为LPDDR3）
　　工作温度范围：-40°C至+85°C（工业级温度范围）
　　数据传输速率：800Mbps（具体速率可能因时钟频率而异）
　　接口类型：并行DRAM接口
　　刷新周期：64ms
　　时钟频率：400MHz
　　数据总线宽度：16位
　　功耗：低功耗设计，适用于便携式设备和高性能计算设备

H9JCNNNFA5MLYR-N6E是一款基于LPDDR3技术的DRAM芯片，其主要特性包括高速数据传输、低功耗操作和高集成度。该芯片的LPDDR3标准使其在降低功耗的同时保持较高的数据传输速率，适用于移动设备、嵌入式系统和服务器等对能效比有较高要求的应用场景。其800Mbps的数据速率能够支持快速的数据存取，满足现代高性能处理器的需求。
　　该DRAM芯片采用FBGA封装技术，提供了良好的电气性能和热管理能力，使其能够在高密度PCB布局中稳定运行。其55-ball封装设计使得芯片在有限的空间内实现了高性能和高可靠性，适合在空间受限的应用中使用。
　　此外，H9JCNNNFA5MLYR-N6E具有较宽的工作温度范围（-40°C至+85°C），适合在工业环境和恶劣条件下使用。这种工业级特性使其能够满足工业控制、通信设备和汽车电子等应用对可靠性和耐久性的要求。
　　该芯片的64ms刷新周期确保了数据的稳定性，同时减少了刷新操作对系统性能的影响。这种设计在提高系统效率的同时，也有助于延长电池寿命，特别是在便携式设备中具有重要意义。

H9JCNNNFA5MLYR-N6E广泛应用于多种高性能计算和存储设备中，包括嵌入式系统、工业控制设备、网络路由器、服务器模块和汽车电子系统等。其低功耗、高速度和高可靠性的特点使其成为移动设备（如智能手机和平板电脑）的理想选择。此外，在数据中心和云计算设备中，该芯片也常用于内存扩展模块，以提升系统的整体性能和稳定性。
　　由于其工业级温度范围和良好的抗干扰能力，H9JCNNNFA5MLYR-N6E也适用于恶劣环境下的工业设备，如自动化控制系统、监控设备和工业机器人。在这些应用中，稳定的内存性能对于系统的可靠运行至关重要。

H9TNNNC8JTMP4UR-N6E, H9TNNNC8JTMP4UR, H9TNNNC8JTMP4UR-N6C