时间：2025/9/1 22:28:16
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H9JCNNNBK3MLYR-N6E 是由Hynix（现为SK hynix）生产的一种DRAM（动态随机存取存储器）芯片的型号。这种存储器模块广泛应用于需要高速数据存取的电子设备中，如计算机、服务器、嵌入式系统等。H9JCNNNBK3MLYR-N6E 作为一种特定的DRAM模块，具有特定的容量、速度和封装形式，适用于高性能计算和工业级应用。
容量：256MB
数据速率：166MHz
组织结构：16M x16
电压：2.3V - 3.6V
封装类型：TSOP（Thin Small Outline Package）
工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
接口类型：异步
刷新周期：64ms
H9JCNNNBK3MLYR-N6E 是一款异步DRAM芯片，具有较高的存储密度和稳定性。该芯片采用TSOP封装，适合在空间受限的应用中使用。其工作电压范围为2.3V至3.6V，使其在不同的电源条件下都能保持稳定运行。该模块的存储容量为256MB，采用16M x16的组织结构，能够提供较宽的数据带宽，适用于需要高速数据处理的系统。
此外，H9JCNNNBK3MLYR-N6E 的工作温度范围为-40°C至+85°C，符合工业级温度标准，确保其在极端环境下的可靠运行。该芯片支持64ms的自动刷新周期，能够在不频繁访问的情况下保持数据完整性，减少系统功耗。
由于其异步接口设计，该DRAM模块能够在没有时钟同步的情况下进行数据读写操作，简化了系统设计并降低了成本。这使得H9JCNNNBK3MLYR-N6E 成为许多嵌入式系统、工业控制设备和消费类电子产品中的理想选择。
H9JCNNNBK3MLYR-N6E 常用于需要大容量存储和高速数据访问的设备中。典型应用包括工业计算机、嵌入式控制系统、网络设备、通信模块、视频监控设备、测试仪器等。由于其工业级温度范围和高可靠性，该芯片也广泛应用于恶劣环境下的工业和汽车电子系统中。
H9TNNNNBKTMLYR-N6E
HY62V16160BLLB4A
IS62LV25616-166BLL
