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H9JCNNNBK3MLYR-N6E 发布时间 时间:2025/9/1 22:28:16 查看 阅读:11

H9JCNNNBK3MLYR-N6E 是由Hynix(现为SK hynix)生产的一种DRAM(动态随机存取存储器)芯片的型号。这种存储器模块广泛应用于需要高速数据存取的电子设备中,如计算机、服务器、嵌入式系统等。H9JCNNNBK3MLYR-N6E 作为一种特定的DRAM模块,具有特定的容量、速度和封装形式,适用于高性能计算和工业级应用。

参数

容量:256MB
  数据速率:166MHz
  组织结构:16M x16
  电压:2.3V - 3.6V
  封装类型:TSOP(Thin Small Outline Package)
  工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
  接口类型:异步
  刷新周期:64ms

特性

H9JCNNNBK3MLYR-N6E 是一款异步DRAM芯片,具有较高的存储密度和稳定性。该芯片采用TSOP封装,适合在空间受限的应用中使用。其工作电压范围为2.3V至3.6V,使其在不同的电源条件下都能保持稳定运行。该模块的存储容量为256MB,采用16M x16的组织结构,能够提供较宽的数据带宽,适用于需要高速数据处理的系统。
  此外,H9JCNNNBK3MLYR-N6E 的工作温度范围为-40°C至+85°C,符合工业级温度标准,确保其在极端环境下的可靠运行。该芯片支持64ms的自动刷新周期,能够在不频繁访问的情况下保持数据完整性,减少系统功耗。
  由于其异步接口设计,该DRAM模块能够在没有时钟同步的情况下进行数据读写操作,简化了系统设计并降低了成本。这使得H9JCNNNBK3MLYR-N6E 成为许多嵌入式系统、工业控制设备和消费类电子产品中的理想选择。

应用

H9JCNNNBK3MLYR-N6E 常用于需要大容量存储和高速数据访问的设备中。典型应用包括工业计算机、嵌入式控制系统、网络设备、通信模块、视频监控设备、测试仪器等。由于其工业级温度范围和高可靠性,该芯片也广泛应用于恶劣环境下的工业和汽车电子系统中。

替代型号

H9TNNNNBKTMLYR-N6E
  HY62V16160BLLB4A
  IS62LV25616-166BLL

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