容量：128GB
　　存储类型：MLC NAND Flash
　　封装类型：BGA
　　接口：ONFI 4.0 / Toggle Mode 2.0
　　工作电压：3.3V / 1.8V
　　数据传输速率：最高可达400MB/s
　　工作温度范围：-40°C至+85°C
　　擦写周期：约3000次
　　位宽：8位
　　页面大小：4KB
　　块大小：256KB

H9HP53ACPMMDAR-KMM作为一款高性能NAND闪存芯片，具有多项显著的技术特性和优势。首先，它采用了MLC（多层单元）技术，在保证较高存储密度的同时，兼顾了数据存储的稳定性和寿命，支持约3000次编程/擦除周期，适用于对存储可靠性有一定要求的应用场景。
　　其次，该芯片支持ONFI 4.0和Toggle Mode 2.0两种高速接口协议，数据传输速率最高可达400MB/s，能够显著提升设备的读写性能，适用于需要快速数据存取的移动设备和嵌入式系统。
　　此外，H9HP53ACPMMDAR-KMM采用先进的制造工艺，功耗控制良好，在保持高性能的同时实现了较低的运行功耗，有利于延长电池供电设备的续航时间。其工作温度范围为-40°C至+85°C，适应性强，适合在各种复杂环境下稳定运行。
　　在存储结构方面，该芯片采用8位并行接口设计，页面大小为4KB，块大小为256KB，支持ECC（错误校正码）机制，可有效提升数据完整性与可靠性。这种结构设计也便于主控芯片进行高效的数据管理。

H9HP53ACPMMDAR-KMM广泛应用于高性能嵌入式存储系统、智能手机、平板电脑、便携式媒体播放器、数码相机、工业控制系统以及固态硬盘（SSD）模块中。其高速传输能力和较大的存储容量使其成为对数据处理效率和存储容量有较高要求的电子设备的理想选择。

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