品牌：SK Hynix（Solidigm）
　　型号：H9HP52AECMMDBR-KMM
　　类型：3D NAND Flash
　　容量：512Gb（64GB）
　　工艺制程：3D堆叠技术
　　接口类型：ONFI 4.0 / Toggle Mode 2.0
　　工作电压：1.2V / 1.8V
　　封装形式：TSOP / BGA
　　温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）

H9HP52AECMMDBR-KMM 的核心特性包括其先进的3D NAND架构，相较于传统的2D NAND闪存，它在相同芯片面积下实现了更高的存储密度。这种3D结构通过堆叠多个存储层来实现更高的容量，同时减少了单元间的干扰，从而提高了数据的可靠性和耐久性。
　　该芯片支持ONFI 4.0和Toggle Mode 2.0两种接口协议，提供灵活的系统集成选项。高速接口设计使其能够达到高达800 MT/s的数据传输速率，满足高性能存储系统的需求。
　　在可靠性方面，H9HP52AECMMDBR-KMM具备较高的擦写寿命（P/E周期），支持纠错码（ECC）功能，能够在数据读取过程中自动纠正错误，确保数据完整性。此外，该芯片还具备强大的错误管理机制，如坏块管理和磨损均衡算法支持，有助于延长存储设备的使用寿命。
　　功耗控制也是该芯片的重要特点之一。得益于先进的工艺技术和低电压设计（1.2V和1.8V双电源供电），该芯片在高性能模式下仍能保持较低的功耗水平，适用于对功耗敏感的应用场景，如移动设备和便携式存储设备。

H9HP52AECMMDBR-KMM 主要应用于需要高容量、高性能和高可靠性的存储系统，例如消费类和企业级固态硬盘（SSD）、嵌入式存储设备（eMMC、UFS）、工业控制设备、汽车电子系统、服务器存储模块以及数据中心存储解决方案。由于其支持工业级温度范围，该芯片也非常适合在严苛环境条件下运行的设备使用。此外，随着物联网（IoT）和边缘计算的发展，该芯片也被广泛用于智能终端设备和边缘存储设备中。

H9HQ82AECMMDBR-KMM, H9HP53ANMUMDBR-NEC, H9HP52A2AMMDCBR-KMM