时间：2025/9/2 1:30:40
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H9HP52AECMMDAR-KMM 是由SK Hynix（海力士）生产的一款高性能NAND闪存芯片。这款芯片采用了先进的制造工艺，具备高速数据读写能力和高可靠性，适用于需要大容量存储和高性能处理的电子设备。该芯片广泛应用于智能手机、平板电脑、固态硬盘（SSD）以及其他便携式电子设备中。
容量：8GB
封装类型：TSOP
接口类型：ONFI 2.3
工作电压：2.7V - 3.6V
数据传输速率：50MB/s（读取），25MB/s（写入）
存储温度：-40°C 至 +85°C
工作温度：-40°C 至 +85°C
H9HP52AECMMDAR-KMM 是一款高性能的NAND闪存芯片，具有8GB的存储容量，适用于多种嵌入式系统和便携式设备。该芯片采用了ONFI 2.3接口标准，支持高速数据传输，能够满足现代电子设备对大数据量存储和快速访问的需求。
该芯片的工作电压范围为2.7V至3.6V，具有较强的电源适应性，能够在不同的电源环境下稳定工作。其数据读取速度可达50MB/s，写入速度为25MB/s，能够提供流畅的存储性能体验。
H9HP52AECMMDAR-KMM 采用了TSOP封装技术，具有较小的封装体积和良好的散热性能，适用于空间受限的电子设备设计。此外，该芯片的工作温度范围为-40°C至+85°C，能够在极端温度条件下稳定运行，适用于工业级应用环境。
该芯片还具备高可靠性和长寿命的特点，支持ECC（错误校正码）功能，能够有效防止数据丢失和损坏，提高数据存储的安全性和稳定性。
H9HP52AECMMDAR-KMM 主要应用于智能手机、平板电脑、固态硬盘（SSD）、数码相机、MP3播放器等需要大容量存储和高性能处理的电子设备中。此外，该芯片也可用于工业控制设备、车载电子系统和医疗设备等对存储性能有较高要求的应用场景。
H9TP32A4UDMPCBR, H9TQ52A2JCMD0BA
