时间：2025/9/1 15:24:42
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H9HKNNNFBMMUDR-NMH是一款由SK海力士（SK Hynix）生产的高密度、高性能的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，主要用于高端计算、服务器、网络设备及嵌入式系统等领域。这款DRAM芯片采用先进的制造工艺，提供大容量存储和高速数据传输能力，适用于对性能和可靠性要求极高的应用场景。
容量：2GB
类型：DDR4 SDRAM
电压：1.2V
频率：3200MHz
数据宽度：x16
封装：BGA（Ball Grid Array）
工作温度：-40°C 至 +85°C
接口：JEDEC标准接口
刷新周期：64ms
H9HKNNNFBMMUDR-NMH采用了先进的1x纳米制程技术，显著提升了存储密度和能效比。其高速度和低延迟的特性使其非常适合用于高性能计算和服务器应用。此外，该芯片具有出色的稳定性和可靠性，在极端工作条件下仍能保持稳定运行。该器件还支持自动刷新和自刷新模式，有助于降低功耗并延长数据保持时间。其BGA封装设计不仅减小了PCB布局空间，还提升了高频下的电气性能和散热能力。这款DRAM芯片还支持ECC（错误校正码）功能，能够在数据传输过程中检测并纠正单比特错误，从而提高系统的数据完整性和稳定性。
H9HKNNNFBMMUDR-NMH广泛应用于高性能计算系统、企业级服务器、网络设备、工业自动化设备以及需要高可靠性存储的嵌入式系统。它也非常适合用于数据中心的内存扩展模块、AI加速卡和高端图形处理设备。
H9HCNNNFBMMLCJ-NMD，H9HONNNFBMMLCJ-NMD，H9HPNNNFBMMLCJ-NMD
