时间：2025/5/20 9:01:58
阅读：8
H9HKNNNEBMAVAR-NEH 是一款由 SK 海力士（SK Hynix）生产的 NAND 闪存芯片。该型号采用先进的存储技术，具有高密度、低功耗和快速数据传输的特点，广泛应用于消费类电子设备和嵌入式系统中。其主要用途包括固态硬盘（SSD）、U 盘、存储卡以及其他需要大容量数据存储的场景。
存储容量：512GB
接口类型：Toggle DDR 3.0
工作电压：1.8V
封装形式：eMCP (Enhanced Multi Chip Package)
数据传输速率：400MT/s
擦写次数：3000 次（典型值）
工作温度范围：-25°C 至 +85°C
待机功耗：低于 100uA
H9HKNNNEBMAVAR-NEH 芯片采用了 3D TLC NAND 技术，具备更高的存储密度和更长的使用寿命。相比传统平面 NAND，3D TLC 技术通过堆叠多层存储单元显著提升了存储容量。此外，该芯片支持 Toggle DDR 3.0 接口协议，提供高达 400MT/s 的数据传输速率，确保高效的性能表现。
在可靠性方面，这款芯片经过严格测试，能够在极端温度条件下保持稳定运行。同时，其超低功耗设计使得它非常适合对电池续航有要求的移动设备。
此外，该芯片还支持多种高级功能，例如 ECC（错误校正码）和磨损均衡（Wear Leveling），从而进一步提升数据完整性和延长使用寿命。
H9HKNNNEBMAVAR-NEH 主要用于以下领域：
1. 固态硬盘（SSD）
2. USB 闪存盘（U 盘）
3. microSD 和 SD 存储卡
4. 智能手机和平板电脑等移动设备中的内部存储
5. 工业级嵌入式系统和 IoT 设备中的数据存储解决方案
6. 车载娱乐系统及导航设备的数据存储模块
H9HPNNNGCMAVAR-KEM
H9HNNNNCBMAVRR-EUC
H9HCNNNFAMAVR-KGM
