时间：2025/9/1 19:21:09
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H9HKNNNEBMAUDR-NMH是一款由SK Hynix（海力士）制造的高性能DRAM（动态随机存取存储器）芯片，专为高带宽、低延迟的存储应用而设计。这款DRAM芯片通常用于高端计算、网络设备、服务器以及嵌入式系统等需要大容量高速存储的场景。H9HKNNNEBMAUDR-NMH采用先进的制造工艺，具有较高的密度和稳定性，支持快速的数据读写操作。
容量：2GB
类型：DRAM
封装类型：BGA
电压：1.2V
接口类型：x16
时钟频率：800MHz
数据速率：1600Mbps
工作温度范围：0°C至85°C
H9HKNNNEBMAUDR-NMH作为一款高性能的DRAM芯片，具备多项优良特性。首先，其高容量设计（2GB）能够满足现代计算系统对内存的高需求，适用于需要大量数据缓存的应用场景。其次，该芯片采用了先进的低电压设计（1.2V），有助于降低整体功耗并提升能效比，非常适合对功耗敏感的嵌入式和移动设备使用。
此外，H9HKNNNEBMAUDR-NMH的x16接口设计提供了较宽的数据总线，提高了数据传输效率。800MHz的时钟频率和1600Mbps的数据速率使得该芯片在高速数据处理中表现出色，适用于需要实时数据处理的应用，如视频流处理、图像识别和高速网络传输。
该芯片采用BGA（球栅阵列）封装，具备良好的热管理和电气性能，能够有效提升稳定性和可靠性，适合在高温环境下运行。其工作温度范围为0°C至85°C，确保在各种工业和商业应用中都能保持稳定的性能。
H9HKNNNEBMAUDR-NMH主要应用于高性能计算系统、服务器、网络设备、图形处理单元（GPU）、嵌入式系统以及工业自动化设备等。由于其高速、低功耗和高稳定性，该芯片特别适用于需要大量内存支持的高端应用，如数据中心、云计算、人工智能加速器以及高端游戏设备。
H9HCNNNEBMAUDR-NEM
