时间：2025/9/2 4:02:42
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H9HKNNNDGUMUBR-NMH 是一款由SK Hynix（海力士）公司制造的高带宽内存（HBM2E，High Bandwidth Memory Generation 2 Enhanced）芯片。该产品主要用于高性能计算（HPC）、人工智能（AI）、图形处理（GPU）、网络设备和数据中心等对内存带宽和容量要求极高的应用场景。HBM2E是HBM2的升级版本，提供了更高的数据传输速率、更大的存储容量以及更优的能效表现。该封装形式为3D堆叠式结构，通过硅通孔（TSV）技术实现多层DRAM芯片的垂直互联，从而显著提升带宽效率并减少物理空间占用。
容量：8GB（64Gb）
类型：HBM2E SDRAM
带宽：460GB/s（最大）
频率：4000Mbps/pin
I/O电压：1.3V（VDD）
核心电压：1.3V（VDDQ）
堆叠层数：8层
数据总线宽度：1024位
封装尺寸：7.5mm x 7.5mm
工作温度：-40°C ~ +85°C
H9HKNNNDGUMUBR-NMH 具备多项先进的技术特性，首先是其高带宽特性，该芯片支持高达4000Mbps/pin的数据传输速率，使得整体带宽可以达到460GB/s，非常适合需要大量数据并行处理的应用。其次是其3D堆叠封装技术，通过硅通孔（TSV）技术将多层DRAM芯片垂直堆叠，大幅提高了内存密度并降低了功耗。此外，该芯片采用了宽位宽的1024位数据总线接口，相较于传统GDDR5或DDR4内存，其带宽效率显著提升。在能效方面，HBM2E通过优化电压设计（1.3V I/O和核心电压）实现了更高的能效比，适合用于对功耗敏感的高性能计算和图形处理设备。该芯片还支持多种低功耗模式，包括深度掉电模式（Deep Power Down Mode）和温度补偿自刷新（Temperature Compensated Self-Refresh），从而进一步降低能耗。此外，它的工作温度范围广泛（-40°C至+85°C），适应于多种复杂的工作环境。
H9HKNNNDGUMUBR-NMH 主要应用于高性能计算平台，如AI加速器、超级计算机、深度学习训练系统等，用于满足其对超大数据带宽的需求。此外，该芯片也被广泛用于高端图形处理器（GPU），支持4K/8K视频渲染、虚拟现实（VR）和增强现实（AR）等高负载图形处理任务。在网络和数据中心领域，HBM2E内存能够有效支持高速缓存、实时数据分析和大规模数据库处理。在汽车电子领域，尤其是自动驾驶系统中，该芯片可用于处理来自多个传感器（如摄像头、雷达和激光雷达）的海量数据，实现快速决策和响应。同时，H9HKNNNDGUMUBR-NMH 也适用于高性能FPGA（现场可编程门阵列）和ASIC（专用集成电路）系统，提供高速内存支持。
H9HKNNNDCGMUBR-NMH, H9HCJNND8PMUBR-NME, H9HKNNND8GMUBR-NMH
