制造商：SK Hynix
　　型号：H9HKNNNCUUMUTR-NMH
　　类型：DRAM
　　技术规格：LPDDR4
　　容量：4GB
　　数据速率：3200Mbps
　　电压：1.1V
　　封装类型：FBGA
　　封装尺寸：130-ball
　　工作温度范围：-40°C至85°C
　　数据总线宽度：16位
　　时钟频率：1600MHz

H9HKNNNCUUMUTR-NMH是一款基于LPDDR4技术的高性能DRAM芯片，其主要特性包括低功耗、高速数据传输以及高集成度。该芯片采用先进的制造工艺，能够在1.1V的低压下运行，显著降低了功耗，延长了移动设备的电池寿命。此外，其3200Mbps的数据速率和1600MHz的时钟频率使其在处理大量数据时依然保持高效能。
　　该芯片的16位数据总线宽度进一步提高了数据传输效率，适用于需要高带宽的应用场景。H9HKNNNCUUMUTR-NMH采用130-ball FBGA（细间距球栅阵列）封装，具有良好的热性能和电气性能，确保在高负载下的稳定运行。其工作温度范围为-40°C至85°C，适应各种严苛的环境条件，提升了产品的可靠性和适用性。
　　此外，H9HKNNNCUUMUTR-NMH还支持多种低功耗模式，包括自刷新模式和深度掉电模式，可以根据系统的实际需求动态调整功耗。这使其非常适合用于对能效要求较高的便携式设备，如智能手机、平板电脑和超薄笔记本电脑。

H9HKNNNCUUMUTR-NMH LPDDR4 DRAM芯片广泛应用于各种高性能计算和存储设备。其主要应用包括智能手机、平板电脑、笔记本电脑等便携式电子设备，作为主内存使用，提供高速的数据访问能力。此外，该芯片也适用于嵌入式系统、工业控制设备和网络通信设备，满足这些系统对高带宽和低功耗的需求。
　　在服务器和数据中心领域，该芯片可用于构建高密度内存模块，提升服务器的处理能力和能效。同时，其高可靠性和宽温度范围也使其适用于汽车电子系统，如车载信息娱乐系统（IVI）和高级驾驶辅助系统（ADAS）。H9HKNNNCUUMUTR-NMH还可用于消费类电子产品，如智能电视、游戏机和可穿戴设备，提供流畅的用户体验。

H9HKNNNCUUMUTR-NMH的替代型号包括三星（Samsung）的LPDDR4系列DRAM芯片，如K4FABU4ETB